NTT Innovative Devices二极管模块FMB

产品型号：IOD-FMB-18001

产品介绍：

IOD-FMB-18001模块是应用超低噪声平方律检测的理想选择。获得的电压灵敏度在300GHz时高达2MV/W，在1THz时高达0.2MV/W。

噪声等效功率（NEP）估计在300GHz时低至5.0pW/Hz0.5，在1THz时低至45pW/Hz 0.5。

Femi-level managed barrier（FMB）二极管模块是一种基于InP/InGaAs异质结构的超低噪声太赫兹探测器。代替肖特基势垒二极管（SBD）中的金属/半导体界面，在FMB二极管中使用InGaAs/InP异质界面（势垒高度～100meV）。

此低势垒高度提供低二极管差分电阻（Rd）以及二极管与宽带蝴蝶结天线之间的良好阻抗匹配。

性能特点：

异质势垒结构由n-InGaAs、未掺杂的InP和n-InP层组成。由于高掺杂n-InGaAs中的费米能级可以远高于导带边缘，这取决于载流子密度，异质界面处的势垒高度（ΦBn）可以降低到100meV或更小。由于低势垒高度，FMB二极管产生约5.0pW/Hz0.5的良好NEP。

技术参数：

• 型号：IOD-FMB-18001

• 模块配置：带运算放大器的零偏置FMB二极管

• 天线类型：自带蝴蝶结天线

• 透镜类型和直径：超半球形（直径10mm）

• 太赫兹带宽：>200GHz

• 前置放大器类型：低噪声运算放大器

• 前置放大器带宽：20Hz-15kHz

• 输出连接器：SMA（内螺纹）

• 电源：DC±5V

• 产地：日本

噪声等效功率（NEP）：

• 5pW/sqrt（Hz）@300GHz

• 1000GHz时为45pW/sqrt（Hz）

电压灵敏度：

• 2MV/W@300GHz

• 0.2MV/W@1000GHz