SiC MOSFET是使用化合物半导体SiC（碳化硅）基板代替以往的Si基板的MOSFET。

它用作MOSFET（场效应晶体管的一种）的半导体衬底材料。MOSFET 用于开关以及放大器等应用。通过使用化合物半导体SiC作为材料的半导体基板，与以往的Si MOSFET相比，能够降低施加电压时的电阻值。

因此，关断期间的开关损耗和电源运行期间的功率损耗可以保持在限度。这提高了半导体芯片的性能并降低了晶体管运行所需的冷却能力，从而实现了更小的产品。

SiC MOSFET的应用

SiC MOSFET应用于继电器、开关电源、图像传感器等多种半导体产品，如电力电子领域的电子器件。通过使用SiC MOSFET，可以减少关断时的损耗，从而实现高速开关，因此常用于通信设备。

选择SiC MOSFET时，需要考虑产品应用的工作条件，例如绝对最大额定值、电气特性、封装用途和尺寸。

SiC MOSFET原理

SiC MOSFET 可以实现在保持相同击穿电压的同时，以低导通电阻和低关断损耗运行的 MOSFET 结构。该晶体管采用SiC衬底，与Si衬底相比，其物理特性约为3倍的带隙能量和约10倍的击穿电场强度，因此有源层可以做得更薄，这是有原因的。

SiC MOSFET 具有 p 型和 n 型半导体的堆叠结构。通常，n型半导体堆叠在p型半导体的顶部，并且n型半导体具有漏极和源极，并且氧化物绝缘层和栅极附着在n型半导体之间。另外，本体的硅片采用化合物半导体SiC（碳化硅）作为外延基板。

当向 MOSFET 的栅极施加正电压时，电流在源极和漏极之间流动。此时，与仅使用Si的MOSFET相比，在硅晶圆中使用SiC的SiC MOSFET甚至可以在源极和漏极之间更高的电压和电流下工作。通过提高半导体中的杂质浓度，可以减少损耗并实现小型化。