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可控硅测试仪的应用于对多种电子元器件的高低压耐压的测试

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2017/4/14 9:44:30

可控硅测试仪 型号:ZKC-2 货号:ZH11092 
产品简介
可控硅测试仪(又名:系列塑封可控硅、可控硅光耦测试仪)是研究设计成功的一种的数字显示式多功能半自动可控硅和可控硅光电耦合器参数测试装置。
1.它可以测量小至TO-92封装大至TO-3P封装的种电流等的塑封单、双向可控硅(晶闸管)。
2.设计了0-1O00uA的触发电流量程,可以直接测量MCR100-6等微安触发电流的可控硅。
3.可以测量DIP-6.DIP-4封装的过零和非过零检测可控硅输出的光电耦合器和DIP-6封装的单向可控硅输出的光电耦合器。
4.可以测量200A以下的螺铨型单、双向可控硅和可控硅组合模块。
5.测试触发电流和触发电压时人工调节,可控硅插入测试座后仪器会自动的调节至触发值,并稳定的显示触发电流IGT/触发电压VGT。
6.测试可控硅耐压参数时只需性调节好zui高输出电压值,以后每测一个管子只要按下高压按钮即可显示该可控硅的耐压值。
该仪器主于可控硅使用厂家对可控硅元件的检验、参数的配对、可控硅设备的维修之用。仪器还可以的应用于对多种电子元器件的高低压耐压的测试。仪器外型美观、性能稳定、测量准确、使用方便。
性能
可控硅触发电流IGT测量范围:6-1000uA,0-10.00mA,0-100.0mA 精度:≤3%
可控硅触发电压VGT测量范围:0-5V精度:≤5%
可控硅光耦输入端LED触发电流IFT测量范围:0-10.00mA, 0-100.0mA 精度:≤3%
可控硅光耦输入端LED触发电压VFT测量范围:0-3V 精度:≤5%
可控硅和可控硅光耦输出端,正反向不重复峰值电压VDSM/VRSM测量范围:0-2KV精度:≤3%
可控硅和可控硅光耦输出端,正反向重复峰值电压VDRM/VRRM测量范围:0-1.6KV精度:≤5%
测试功能
1.系列单双向塑封可控硅触发电流IGT、触发电压VGT的测试,正反向不重复峰值电压VDSM/VRSM的测试,正反向重复峰值电压VDRM/VRRM的测试。
2.DIP-6、DIP-4封装的过零和非过零检测可控硅输出的光电耦合器和DIP-6封装的单向可控硅输出的光电耦合器输入LED端IFT/VFT的测试,输出端可控硅正反向不重复峰值电压VDSM/VRSM的测试,正反向重复峰值电压VDRM/VRRM的测试。
3.电流在200A以内,VDSM/VRSM在2KV以内,触发电流在120mA以内的螺铨型单、双向可控硅和可控硅组合模块的触发电压IGT、触发电流VGT的测试,正反向不重复峰值电压VDSM/VRSM的测试,正反向重复峰值电压VDRM/VRRM的测试。
4.2KV以内的类二管、三管、达林顿管、整流桥、MOS场效应管、IGBT及种模块的耐压测试。
5.2KV以内的压敏电阻、稳压管、双向触发二管等电压值的测试

 

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