扩散型压阻式力敏传感器大都采用单晶硅和半导体平面工艺制成。单晶硅是各向异性材料，取向不同时特性不一样，因此必须根据传感器受力变形情况来加工制造扩散硅敏感电阻膜片。一般以N型硅为衬底（又称基片），采用氧化、扩散等工艺将硼原子沿给定的晶向扩散到N型硅补底材料中，形成P型扩散层。结果硼扩散区便形成应变电阻，并用衬底形成一个整体，当它受压力作用时，应变电阻发生变化，从而使输出发生变化。
扩散型压阻式力敏传感器主要由硅膜片（硅杯）、外壳和引线等组成。硅膜片是核心部分，其形状像杯子故名硅杯，在膜片上，用半导体工艺中的扩散掺杂法做成四个相等的电阻，经蒸镀金属电极及连线，接成电桥形式，用引线引出。硅膜片两侧有两个压力腔，一侧是和被测系统相连接的高压腔；另一侧是低压腔，通常和大气相连，也有做成真空的。当膜片两侧存在压力差时，膜片发生变形，产生应力应变，从而使扩散电阻的电阻值发生变化，电桥失去平衡，输出相对应的电压，其大小就反映了膜片所受压力差值。
扩散硅压阻式力敏传感器有哪些优缺点？
1.优点：
1)频率响应范围宽，固有频率很高；
2)体积小，可微型化，由于采用了集成电路的工艺方法，因丽硅膜片敏感元件可做得很小；
3）准确度高，由于不存在传动机构造成的误差，也消除了一般压力传感器中金属膜片或应变及粘贴时因蠕变、迟滞产生的误差，所以大大提高了传感器的准确度；
4)灵敏度高；
5)由于压阻式传感器无活动部件，所以它工作可靠，耐振、耐冲击、耐腐蚀、抗干扰能力强，可以在恶劣环境下工作。
2.缺点
1)由于压阻式传感器是用半导体材料制作的，所以受温度影响较大；因此，在瀑度变化大的环境中使用时，必须进行温度补偿；
2)制作工艺复杂，对研制条件要求高，尤其是扩散杂质、烧结、封装工艺等比其他传感器要复杂得多，因而成本较高。
