淋浴头气流的平面ICP离子源应用于ALD系统

继NANO-MASTER*技术的带淋浴头气流分布的平面ICP离子源应用于NANO-MASTER的刻蚀系统，ICPECVD沉积系统，PA-MOCVD生长系统之后，该ICP离子源顺利应用于ALD系统。

由于该型技术设计的ICP源为平面设计的远程等离子源，可以在更低电源下达到更高的离子密度，具有电子温度低、离子密度高、腔体空间占比低等优势，确保了该ALD系统具有薄膜无损伤、生长速度快、脉冲周期短（沉积效率可以达到两倍以上）的先进性能。此外，可以实现低温（100度以内）的薄膜生长。