压力传感器的原理

    压力传感器的种类繁多，其性能也有较大的差异，在实际应用中，应根据具体的使用场合、条件和要求，选择较为适用的传感器，做到经济、合理。
压力传感器的原理：
    传感器是将各种非电量（包括物理量、化学量、生物量等）按一定规律转换成便于处理和传输的另一种物理量 （一般为电量）的装置。传感器一般由敏感元件、转换元件和测量电路三部分组成，有

时还需外加辅助电源。
    制造半导体压力传感器的基本原理是利用硅晶体的压阻效应。单晶硅材料在受到应力作用后，其电阻率发生明显变化，这种现象称为压阻效应。
    压力传感器所用的元件材料是具有压阻效应的单晶硅、扩散掺杂硅和多晶硅。根据晶体不受定向应力时，电导率是同性的，只有受定向应力时才表现出各向异性，由于应力能引起能带的变化，能谷

能量移动，导致电阻率的变化，于是就有电阻的变化，从而产生压阻效应。
    单晶硅效应包括n型和p型硅压阻效应。选用扩散硅目的在于在设计制造压力传感器时可根据不同温度下硅扩散层的压阻特性选择合适的扩散条件，力求使压力传感器具有良好的性能。多晶硅在传感

器中有广泛的用途，可作为微结构和填充材料、敏感材料。
压力传感器的应用分类：
    压力传感器按用途分类主要是压力监视、压力测量和压力控制及转换成其他量的测量。按供电方式分为压阻型和压电型传感器，前者是被动供电的，需要有外电源。后者是传感器自身产生电荷，不

需要外加电源，根据不同领域对压力测量的精度不同分为低精度和高精度的压力传感器。
压力传感器的主要性能参数： 
1.额定压力范围。额定压力范围是满足标准规定值的压力范围。也就是在高和低温度之间，传感器输出符合规定工作特性的压力范围。在实际应用时传感器所测压力在该范围之内。 
2.大压力范围。大压力范围是指传感器能长时间承受的大压力，且不引起输出特性性改变。特别是半导体压力传感器，为提高线性和温度特性，一般都大幅度减小额定压力范围。因此，即使在额定压力以上连续使用也不会被损坏。一般大压力是额定压力高值的２－３倍。 

3.损坏压力。损坏压力是指能够加工在传感器上且不使传感器元件或传感器外壳损坏的大压力。  
4.线性度。线性度是指在工作压力范围内，传感器输出与压力之间直线关系的大偏离。
5.压力迟滞。为在室温下及工作压力范围内，从小工作压力和大工作压力趋近某一压力时，传感器输出之差。  
6.温度范围。压力传感器的温度范围分为补偿温度范围和工作温度范围。补偿温度范围是由于施加了温度补偿，精度进入额定范围内的温度范围。工作温度范围是保证压力传感器能正常工作的温度范围

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