倍加福光电传感器一般由处理通路和处理元件2 部分组成。其基本原理是以光电效应为基础，把被测量的变化转换成光信号的变化，然后借助光电元件进一步将非电信号转换成电信号。光电效应是指用光照射某一物体，可以看作是一连串带有一定能量为的光子轰击在这个物体上，此时光子能量就传递给电子，并且是一个光子的全部能量一次性地被一个电子所吸收，电子得到光子传递的能量后其状态就会发生变化，从而使受光照射的物体产生相应的电效应。倍加福光电传感器通常把光电效应分为3 类：（1）在光线作用下能使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应，如光电管、光电倍增管等；（2）在光线作用下能使物体的电阻率改变的现象称为内光电效应，如光敏电阻、光敏晶体管等；（3）在光线作用下，物体产生一定方向电动势的现象称为光生伏应，如光电池等。
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NBB2-12GK50-E0
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NBB2-12GM30-E2-V1
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NBB2-12GM40-E2-V1
NBB2-12GM40-E3
NBB2-12GM40-Z0
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NBB8-18GM30-E3
NBB8-18GM30-E3-V1
NBB8-18GM50-E0
NBB8-18GM50-E0-V1
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NBB8-18GM60-A0-V1
NBB8-18GM60-A2
NBB8-18GM60-A2-V1
NBB8-18GM60-B3B-V1
NBB10-30GK50-E0
NBB10-30GK50-E2
NBB10-30GM40-Z0
NBB10-30GM40-Z0-V1
NBB10-30GM40-Z3-V1
NBB10-30GM50-E0
NBB10-30GM50-E0-V1
NBB10-30GM50-E2
NBB10-30GM50-E2-V1
NBB10-30GM60-A0
NBB10-30GM60-A0-V1
NBB10-30GM60-A2
NBB10-30GM60-A2-V1
NBB10-30GKK-WO
NBB10-30GKK-WS
NBB10-30GM50-WO
NBB10-30GM50-WS
NBB15-30GM30-E2
NBB8-18GM60-UO
NBB8-18GM60-UO-V12
NBB8-18GM60-US
NBB8-18GM60-US-V12
NBB10-30GK-WO
NBB10-30GK-WS
NBB10-30GKK-WO
NBB10-30GKK-WS
NBB10-30GK50-E0
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NBB10-30GM40-E2
NBB10-30GM40-Z0
NBB10-30GM40-Z0-V1
NBB10-30GM40-Z3-V1
NBB10-30GM50-E0
NBB10-30GM50-E0-V1
NBB10-30GM50-E2
NBB10-30GM50-E2-V1
NBB10-30GM50-WO
NBB10-30GM50-WO-V12
NBB10-30GM50-WS
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倍加福传感器上海办事处
