一、引言
化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)和金属有机化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)是两种在半导体制造中广泛应用的薄膜沉积技术。这两种技术都需要使用高纯度的氢气作为反应气体。因此，CVD，MOCVD专用氢气发生器的操作对于保证薄膜质量和设备安全至关重要。
二、仪器简介
CVD，MOCVD专用氢气发生器是一种能够产生高纯度氢气的设备，主要用于半导体制造中的CVD和MOCVD过程。该设备通常采用电解水或天然气重整的方式产生氢气，然后通过一系列的净化和压缩步骤，得到满足半导体制造需求的高纯度氢气。
CVD，MOCVD专用氢气发生器
三、操作步骤
1.开机检查：在启动氢气发生器之前，应先进行开机检查，包括检查设备的电源连接是否正常，设备的冷却系统是否工作正常，设备的气体供应系统是否密封良好等。
2.启动设备：在确认设备状态正常后，可以启动氢气发生器。首先打开电源开关，然后按照设备的启动顺序，依次启动电解水系统、天然气重整系统、净化系统和压缩系统。
3.调整参数：在设备启动并运行稳定后，可以根据实际需求调整氢气的产生量和纯度。一般来说，可以通过调整电解电流、重整温度、净化压力和压缩比等参数，来控制氢气的产生量和纯度。
4.监控设备：在设备运行过程中，应定期监控设备的运行状态，包括氢气的产生量和纯度、设备的运行温度和压力、设备的电流和电压等参数。如果发现设备运行异常，应立即停机检查。
5.关机清理：在设备使用结束后，应先关闭电源，然后进行设备的清理和维护。清理和维护的内容包括清理设备的电解槽和重整炉、更换设备的过滤网和催化剂、检查设备的密封圈和阀门等。
四、操作注意事项
1.在操作氢气发生器时，应遵守设备的使用说明书，避免误操作导致设备损坏或人身伤害。
2.在设备运行过程中，应避免接触氢气，因为氢气具有易燃易爆的特性。如果必须接触氢气，应使用防爆设备和个人防护装备。
3.在设备运行过程中，应定期进行设备的维护和检查，以确保设备的正常运行和使用寿命。
4.在设备使用结束后，应及时关闭电源和气源，避免浪费能源和造成安全隐患。
