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一文详解IGBT静态参数测试系统

武汉普赛斯仪表有限公司

2022/2/14 13:36:15

IGBT简介:

IGBT(绝缘栅双极性晶体管)是常见的功率器件,期间经常使用在强电流高电压的场景中,如电动汽车、变电站等。器件结构由MOSFET及BGT组合而成,兼具了高输入阻抗及低导通压降的优点,IGBT是电力电子设备的“cpu”,被国家列为重点研究对象。


IGBT测试难点:

1、由于IGBT是多端口器件,所以需要多个测量模块协同测试。

2、IGBT的漏电流越小越好,所以需要高精度的设备进行测试。

3、IGBT动态电流范围大,测试时需要量程范围广,且量程可以自动切换的模块进行测试。

4、由于IGBT工作在强电流下,自加热效应明显,脉冲测试可以减少自加热效应,所以MOSFET需要进行脉冲IV测试,用于评估期间的自加热特性。

5、MOSFET的电容曲线是其特性表征的重要内容,且与其在高频应用有密切关系。所以IGBT的电容测试非常重要。

6、IGBT开关特性非常重要,需要进行双脉冲动态参数的测试。


IGBT静态参数测试系统认准武汉生产厂家普赛斯仪表,普赛斯以自主研发为导向,深耕半导体测试领域,在I-V测试上积累了丰富的经验,先后推出了直流源表,脉冲源表、高电流脉冲源表、高电压源测单元等测试设备,广泛应用于高校研究所、实验室,新能源,光伏,风电,轨交,变频器等场景。


那么IGBT器件静态参数测试需要哪些仪器呢?

E系列高电压源测单元具有输出及测量电压高3000V)、能输出及测量微弱电流信号(1nA)的特点。设备工作在第一象限,输出及测量电压0~3000V输出及测量电流0~100mA支持恒压恒流工作模式,同时支持丰富的I-V扫描模式

用于IGBT击穿电压测试,IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源,防雷二极管耐压测试,压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。

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E300高电压源测单元


HCPL100型高电流脉冲电源为脉冲恒流源,具有输出电流大(1000A)、脉冲边沿陡(10uS)、支持两路脉冲电压测量(峰值采样)、支持输出极性切换等特点。

设备可应用于肖特基二极管、整流桥堆、IGBT器件、IGBT半桥模块、IPM模块等需要高电流的测试场合,使用该设备可以独立完成“电流-导通电压”扫描测试。

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HCPL100型高电流脉冲电源


P系列脉冲源表是普赛斯在直流源表的基础上新打造的一款高精度、大动态、数字触摸源表,汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能,Z大脉冲输出电流达10A,Z大输出电压达300V,支持四象限工作,因此能广泛的应用于各种电气特性测试中。P系列源表适用于各行各业使用者,特别适合现代半导体、纳米器件和材料、有机半导体、印刷电子技术以及其他小尺寸、低功率器件特性分析。

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P系列脉冲源表

IGBT静态参数测试系统简介

功率器件静态参数测试系统集多种测量和分析功能一体,可精准测量功率器件(MOSFETBJTIGBT等)的静态参数,电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数,具有高电压和大电流特性,uΩ级电阻,p*电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容,输出电容、反向传输电容等。

 

产品特点

IGBT静态参数测试系统应用


     功率器件如二极管、三极管、MOS管、IGBT、SIC、GaN



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