日益成熟的半导体工艺技术和同步高良率目标不仅需要改进晶圆加工设备和操作参数，而且对洁净中可能存在的气态分子污染物（AMC）的监测和控制也提出了越来越高的要求。随着半导体制造工艺接近摩尔极限：纳米（nm）蚀刻尺寸和更高密度的晶体管密度，洁净室空气中的各种“杂项”分子如果沉积在晶圆表面上可能会影响工艺效果。同时，由于现代技术的复杂性和工序多，这些影响会不断地传递和放大，最终体现在晶圆良率上。
也就是说，AMC监测技术也需要跟上半导体工艺技术的不断进步和追求。根据文献报道和相关研究，为了尽量减少AMC对工艺良率的影响，洁净室关键AMC浓度需要控制在万亿级（pptv）。在实现高灵敏度的同时，快速响应也是一项重要指标，以提高样品测量通量，并在AMC浓度异常时尽快报警，避免或减少对工艺和晶圆的负面影响屈服。
AMC监测可覆盖几大类AMC，同时获得秒响应和pptv检出限。高分辨率TOF飞行时间质谱的匹配全谱记录使vocusciTOF具备数据回溯分析的功能，这在半导体需要控制AMC类型不断扩展的前提下尤为重要。
AMC监测针对不同半导体环境中各类AMC的实时、高灵敏度、高精度监控案例的革命性解决方案。仪器软硬件集成度高，运维成本极低，未来派上用场的高机动性，可以解决现有市场上其他仪器的诸多痛点，也为业主提供投资回报在提高整体良率、AMC事件预警、实时故障排除以及后续案例分析总结等方面。
