一、产品优势：
1.控制电路选用模糊PID程控技术，该技术控温精度高，热惯性小，温度不过冲，性能可靠，操作简单。
2.气路快速连接法兰结构采用本公司*的知识产权设计,提高操作便捷性。
3.中真空系统具有真空度上下限自动控制功能，高真空系统采用高压强，耐冲击分子泵.
防止意外漏气造成分子泵损坏，延长系统使用寿命。
二、注意点：
CVD石墨烯制备双温区滑轨式CVD系统炉管内气压不可高于0.02MPa
当炉体温度高于1000℃时，炉管内不可处于真空状态，炉管内的气压需和大气压相当，保持在常压状态进入炉管的气体流量需小于200SCCM，以避免冷的大气流对加热石英管的冲击
石英管的长时间使用温度＜1100℃
对于样品加热的实验，不建议关闭炉管法兰端的抽气阀和进气阀使用。若需要关闭气阀对样品加热，则需时刻关注压力表的示数，若气压表示数大于0.02MPa，必须立刻打开泄气阀，以防意外发生（如炉管破裂，法兰飞出等）。
石墨烯制备系统（CVD）主要用于合成石墨烯薄膜和各种碳纳米材料，有一个水平石英管式炉。一个催化剂衬底(通常是铜铝箔)放置在炉里,甲烷气体或乙炔气体从外部低流量和低压地注入，在催化剂的衬托上形成石墨烯薄膜。
快速冷却对于形成高质量的石墨烯薄膜非常重要，快速冷却可以抑制碳过量的沉积在催化剂金属箔上 (如铜或镍箔)；系统配备了快速冷却系统。管式炉向一侧滑动30mm到反应炉，加热的炉可以远离样品，从而快速冷却样品。通过非常简单的方式达到快速冷却的效果。
