一、光刻机是掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。
二、分类：
手动：指的是对准的调节方式，是通过手调旋钮改变它的X轴，Y轴和thita角度来完成对准，对准精度可想而知不高了；
半自动：指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐；
自动：指的是从基板的上载下载，曝光时长和循环都是通过程序控制，自动光刻机主要是满足工厂对于处理量的需要。
三、技术指标：
(1)支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。
(2)分辨率是对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。
(3)对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度。
(4)曝光方式分为接触接近式、投影式和直写式。
(5)曝光光源波长分为紫外、深紫外和极紫外区域，光源有汞灯，准分子激光器等。
四、光刻机种类：
(1)接触式曝光：掩膜板直接与光刻胶层接触。曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当，设备简单。接触式，根据施加力量的方式不同又分为：软接触，硬接触和真空接触。
(2)接近式曝光：掩膜板与光刻胶基底层保留一个微小的缝隙(Gap)，Gap大约为0～200μm。可以有效避免与光刻胶直接接触而引起的掩膜板损伤，使掩膜和光刻胶基底能耐久使用；掩模寿命长(可提高10倍以上)，图形缺陷少。接近式在现代光刻工艺中应用最为广泛。
(3)投影式曝光：在掩膜板与光刻胶之间使用光学系统聚集光实现曝光。一般掩膜板的尺寸会以需要转移图形的4倍制作。优点：提高了分辨率；掩膜板的制作更加容易；掩膜板上的缺陷影响减小。
