Wika威卡传感器S-20特点描述
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德国威WIKA传感器描述:
一般由处理通路和处理元件2 部分组成。其基本原理是以光电效应为基础，把被测量的变化转换成光信号的变化，然后借助光电元件进一步将非电信号转换成电信号。光电效应是指用光照射某一物体，可以看作是一连串带有一定能量为的光子轰击在这个物体上，此时光子能量就传递给电子，并且是一个光子的全部能量一次性地被一个电子所吸收，电子得到光子传递的能量后其状态就会发生变化，从而使受光照射的物体产生相应的电效应。通常把光电效应分为3类;(1)在光线作用下能使电子溢出物体表面的现象称为外光电效应，如光电管、光电倍增管等;(2)在光线作用下能使物体的电阻率改变的现象称为内光电效应，如光敏电阻、光敏晶体管等;(3)在光线作用下，物体产生一定方向电动势的现象称为光生伏，如光电池等。 [2]
光电检测方法具有精度高、反应快、非接触等优点，而且可测参数多，传感器的结构简单，形式灵活多样，因此.光电式传感器在检测和控制中应用非常广泛。
光电传感器是各种光电检测系统中实现光电转换的关键元件，它是把光信号(可见及紫外镭射光)转变成为电信号的器件。
光电式传感器是以光电器件作为转换元件的传感器。它可用干检测直接引起光量变化的非电物理量，如光强、光照度、辐射测温、气体成分分析等;也可用来检测能转换成光量变化的其他非电量，如零件直径、表面粗糙度、应变、位移、振动、速度、加速度，以及物体的形状、工作状态的识别等。光电式传感器具有非接触、响应快、性能可靠等特点，因此在工业自动化装置和机器人中获得广泛应用。
德国威WIKA传感器特点:
工作原理由光通量对光由元件的作用原理不同所制成的光学测控系统是多种多样的 按光电元件(光学测控系统)输出量性质可分二类，即模拟式光电传感器和脉冲(开关)式光电传感器。模拟式光电传感器是将被测量转换
成连续变化的光电流，它与被测量间呈单值关系，模拟式光电传感器按被测量(检测目标物体)方法可分为透射(吸收)式。漫反射式，遮光式(光束阴档)三大类。所谓透射式是指被测物体放在光路中，恒光源发出的光能量穿过被测物，部份被吸收
后，透射光投射到光电元件上;所谓漫反射式是指恒光源发出的光投射到被测物上，再从被测物体表面反射后投射到光电元件上:所谓遮光式是指当光源发出的光通量经被测物光遮其中一部份，使投射到光电元件上的光通量改变，改变的程度与被测物体在光路位置有关。
wika压力传感器在测量过程中，压力直接作用在传感器的膜片上，使膜片产生与介质压力成正比的微位移，使传感器的电阻发生变化，同时通过电子线路检测这一变化，并转换输出一个对应于这个压力的标准信号，这样的过程就是微压传感器进行测量的过程。
对于微压传感器来说，灵敏度和线性度是微压力传感器zui重要的两个性能指标。为了制作出能够满足实际应用需求的传感器，必需探索出一种微压力传感器灵敏度和线性度的有效仿真方法。实际的研究中，发现一种基于对压阻式压力传感器薄膜表面应力的有限元分析(FEA)和路径积分的仿真方法。通过这一方法实现了在满量程范围内不同压力值下对传感器电压输出值的估计，在此基础上对压力传感器的灵敏度和线性度进行了有效仿真。
微压传感器发展迅速，新研制出的一类传感器采用压电单晶片结构，并内置前置放大器，通过放大器放大微弱信号并实现阻抗变换，从而使传感器具有量程小、灵敏度高、抗干扰性好等特点。这类传感器已广泛用于脉搏、管壁压力波动等微小信号的检测。但与此同时，对于微压传感器度的检验这一技术难题，就迫切需要简便的测量装置测量该类型传感器的性能。
wika压力传感器是工业实践中zui为常用的一种传感器。一般普通压力传感器的输出为模拟信号，模拟信号是指信息参数在给定范围内表现为连续的信号。 或在一段连续的时间间隔内，其代表信息的特征量可以在任意瞬间呈现为任意数值的信号。而我们通常使用的压力传感器主要是利用压电效应制造而成的，这样的传感器也称为压电传感器。
wika压力传感器是使用的一种传感器。传统的压力传感器以机械结构型的器件为主，以弹性元件的形变指示压力，但这种结构尺寸大、质量重，不能提供电学输出。随着半导体技术的发展，半导体压力传感器也应运而生。其特点是体积小、质量轻、准确度高、温度特性好。特别是随着MEMS技术的发展，半导体传感器向着微型化发展，而且其功耗小、可靠性高。为了解决微压力传感器灵敏度和非线性的矛盾，在结构上，综合梁膜结构与平膜双岛结构的优点，采用双岛-梁结构。岛区的面积不是按比例放大或缩小。首先，为了增加灵敏度，应尽可能减小窄梁区的长度和宽度。因为从对“梁-膜-岛”结构的有限元分析和近似解析分析中发现，减小窄梁区的长度和宽度可以明显地使梁上的应力增大。并且当中间窄梁的长度约为两边窄梁长度的2倍时，器件的线性度。虽然有双岛限位结构，但在高过载情况下，硅膜将首先从岛的边区和角区破裂。这是因为传统的岛膜结构都是采用常规的有掩模的各向异性湿法腐蚀，从硅片背面形成硅膜和背岛。
硅膜是晶面，边框和背大岛侧面都是晶面，夹角为54.74°的锐角。根据力学原理，在角区存在应力集中效应，使硅膜在正面或背面受压以后，角区会具有应力的极值，因此破裂首先从该处发生。引入应力匀散结构以后，使角区变成具有一定曲率的圆角区，使该区的应力极值下降。在硅膜与边框或背岛的交界处要形成有一定曲率半经的缓变结构，采用一般的常规各向异性湿法腐蚀是无法实现的。为此，采用了掩模-无掩模各向异性湿法腐蚀技术。
