1.GDT(陶瓷放电管)
GDT有单极和三极两种方式。三极GDT是一个看似简单的器件，能在大难临头的关键时辰坚持一个差分线对的均衡：少许的不对称能够使瞬变脉冲优先耦合到均衡馈线的某一侧，因此产生一个宏大的差分信号。即便瞬变事情对称地发作在均衡馈线上，两个维护器件响应特性的微小差异也会使一个毁坏性的脉冲振幅呈现在系统的输入端上。三极GDT在一个具有共用容积的管内提供一个差分器件和两个并联器件。形成一对电极导通的任何条件都会使一切三个电极之间导通，由于的状态(绝缘状态、电离状态或等离子状态)决议了放电管的行为。
在正常的工作条件下，一只GDT的并联阻抗约为1TΩ ，并联电容为1pF以下。当施加在GDT两端的电势低于电离电压(即“辉光”电压)时，GDT的小漏电流(典型值小于1 pA)和小电容简直不发作变化。一旦GDT到达辉光电压，其并联阻抗将急剧降落，从而电流流过。不时增加的电流使大量构成等离子体，等离子体又使该器件上的电压进一步降低至15V左右。当瞬变源不再继续提供等离子电流时，等离子体就自动消逝。GDT的净效果是一种消弧作用，它能在1ms内将瞬变事情期间的电压限制在大约15V以下。GDT的一个主要优点是迫使大局部能量耗费在瞬变的源阻抗中，而不是耗费在维护器件或被维护的电路中。GDT的触发电压由信号电压的上升速率(dV/dt)、GDT的电极距离、类型以及压力共同肯定。该器件能够接受高达20 kA的电流。
2.MOV(压敏电阻)
它是一种是随电压而变化的非线性电阻器。烧结的金属氧化物构成一种犹如两个背对背串接的齐纳二极管的构造。在正常工作状况下，MOV的典型漏电流为10 mA量级，并联电容约为45 pF。电压升高到超越MOV阈值，就会使其中一个散布式齐纳二极管产生雪崩，因此使该器件对被维护的节点停止箝位。不时增加的电流最终使器件两端的电压上升——这是大多数批量资料都有的一个限制要素。
作为一种箝位器件，MOV能大量吸收瞬变能量，而放电管则将瞬变能量耗散在瞬变源阻抗以及瞬变源与被维护节点之间的电阻中。在允许MOV的漏电和并联电容的应用场所(如电源、POTS和工业传感器)，MOV可配合GDT，对闪电惹起的瞬变停止良好的二次防护，由于MOV的触发速度要比等离子体避雷器快一个数量级。重复呈现的过热应力的累积会使MOV过热，降低其性能。因而，务必认真剖析你打算支持的瞬变标准，肯定你请求MOV吸收的总能量和最坏状况下的瞬变反复率，激进地制定器件的规格。
3.TVS(瞬变电压制制器)
一个TVS的并联电容通常只要几十皮法，但有些新的TVS的并联电容增加了不到10 pF。电压的TVS，其漏电流常常为100mA以上，而工作电压为12V以上的TVS，其漏电流则为5mA以下。当前TVS的开展趋向是进步集成度，支持高密度便携设备。在芯片尺寸封装中包含多个器件，使节点间隙更好地匹配被维护的IC或接口衔接器。集成的TVS与EMI滤波器可在一个封装内完成两个关键任务，并可简化经过I/O口布放总线的工作。多个TVS封装因其小巧而成为高密度组件中最常见的维护器件。
