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对于许多材料，想观察其内部结构就需要使用到透射电子显微镜，但由于透射电镜对样品厚度的限制，绝大部分的材料样品都不能直接放到透射电镜进行观察拍摄。因此样品在进行透射电镜拍摄前需要进行前处理，使其变薄至200 nm以下，目前常用的方法有凹坑法、化学腐蚀法、超薄切片法和离子减薄法。

不同的方法适用于不同的样品，凹坑法和化学腐蚀法会在不同程度上对样品有着破坏的弊端，超薄切片在一些脆性材料面前就显得不那么适用，并且在经济上也价格更加高昂，而离子减薄法基本能适用于各类样品且操作便捷，离子减薄过后的样品可以直接上透射电镜进行观察拍摄。

鼎竑GU-AI9000离子减薄仪有着它的优势，首先它具有无磁聚集离子源，不会使磁性碎屑吸附在样品表面，离子束斑大、离子枪易维护。并且双离子源可独立控制，能量范围广，适合各类样品，同时具备高能量(快速制样)和低能量(精细修复)的功能。其次它的减薄功能十分强大，同时具有快速、薄区大和自动终止等特点。并且它的真空及制冷系统也在同类设备中有优势，使用了内置双泵（浦发隔膜泵和莱宝涡轮分子泵），不占用多余空间，同时具有半导体冷台制冷，无需液氮也可到达-30℃。

硅片在电子电器行业使用广泛，但硅片属于脆性样品，使用其他方法较难制样，使用GU-AI9000离子减薄仪可有效快速减薄样品。

这类硬质合金在汽车、航空等领域应用广泛，但它具有强度大、硬度高等特点不易制样，在减薄过程中既要快速又要保持减薄薄区可观察，使用GU-AI9000离子减薄仪可以解决这类样品制备问题。

这类样品属于较易制备样品，在各类行业都应用广泛。

铝合金在电器等行业应用广泛，且这类样品较易制备。

铝合金明暗场位错图像

鼎竑GU-AI9000具有无磁聚集离子源、破孔自动终止等技术优势，可满足电镜制样前处理需求，是专为上透射电镜的材料样品进行处理的离子减薄仪。