FET（Power Mos）测试机和测量仪器简介
| 我公司专业从事半导体检测设备和测量仪器的设计和生产。 发布本公司生产的测试仪，包括场效应管L负载测试仪、场效应管、晶体管热阻测量仪等。 规格可以根据产品样品进行更改，并且我们可以根据测量条件满足各种要求，例如升高或降低电压或电流。 |
 EF-5202面板 |  EF-5202面板背面 |
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| 该装置是对样品施加安全操作区（ASO）内的高电压和大电流以检查样品是否会被破坏的测试装置。 将L（电感）连接到样品（DUT）的漏极作为负载，并控制输入栅极电压来 切换DUT。由于DUT的切换，L负载两端会产生反电动势，根据此时产生的电压和电流来测试DUT的耐受能力。 |
| VDS电源 | VG1电源 | VG2电源 | |
|---|---|---|---|
| 设定电压范围 | 0.0V~50.0V | 0.0V~+30.0V | 0.0V~-30.0V |
| 设置分辨率 | 1.0V | 0.1V | 0.1V |
| 输出电流 | 40A以上 | +100mA以上 | -100mA以上 |
| 设定精度 | ±(1%+0.5A)以内 | ±(1%+0.1A)以内 | ±(1%+0.1A)以内 |
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| 场效应管-901 | |
|---|---|
| 大功率负载测试设备500V-100A | |
| 场效应管-902 | |
| 小功率L负载测试设备200V-30A FET/晶体管组合型 | |
| 场效应管-9205 | |
| 可以用ROM编程 | |
| EF-5002 | |
| 硬 L 和软 L 测试可使用同一端子进行。 可进行 100V-60A 多路复用器操作（2CH）。 | |
