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2024/3/27 15:03:34高精度纳米级压电位移平台“PIEZOCONCEPT”!
--半导体界后摩尔时代的手术刀。
第三代半导体是后摩尔时代实现芯片性能突破的核心技术之一,*性能和广泛的下游应用使相关厂商存在良好发展前景。随着下游终端需求改善,下游结构升级及国产替代是半导体界发展的趋势。然而运动控制核心部件对于众多产业布局,往往起到了关键性作用;高精度纳米级压电位移平台,仍然是众多企业亟不可待的关键产品。
昊量光电推出“PIEZOCONCEPT”公司高精度纳米级压电位移平台系列产品,它的产品犹如一把手术刀,具备精确、锋利、专业、值得信任的特点;它代表着高精度、高稳定性、高响应速度、高抗疲劳性。
下面对“PIEZOCONCEPT”产品进行详细的介绍:
1.PIEZOCONCEPT单轴位移平台
PIEZOCONCEPT单轴位移平台产品是可以在单个维度上提供精确定位的产品,主要包含X轴压电平台、Z轴压电平台、物镜扫描台、快速反射镜。
X轴产品图片
Z轴产品图片
一维扫描平台
一维快反镜
2.PIEZOCONCEPT两轴位移平台
两轴压电平台可以提供两个维度上的平移或偏转,主要包括XY二维压电纳米位移台和二维快反镜。
XY轴压电平台
二维快反镜
3.PIEZOCONCEPT三轴位移平台
XYZ轴压电平台
4. PIEZOCONCEPT位移台 du特优势
昊量光电推出“PIEZOCONCEPT”高精度单轴、双轴、三轴纳米级压电位移台、物镜扫描台、快反镜系列产品;该压电平台以压电陶瓷为驱动,采用了柔性铰链连接的方法,具备精确导向性、高稳定性、高抗疲劳性的特点,同时搭配高精度硅基位移传感器、16Bit高分辨率高速控制器,具有高响应速度,亚纳米级的分辨率,超低底噪(10-50pm)和超高线性度(0.02%),广泛应用于高精密位移领域,包括但不局限于半导体领域。
功能的du特优势包括:
亚微米级别的重复定位精度
稳定性远远优于同类产品
0-1500微米级的移动范围
传统压电位移台的特点 | PIEZOCONCEPT压电位移台的优势 |
-分辨率的局限 | 高分辨率:0.005nm/urad(Max) |
-有限的运动轨迹范围,平均0-300um移动范围 | 0-1500um移动范围 |
-较低线性度 | 超高线性度(0.02%) |
-位移传感器存在差异(以电容传感器为主),铰链存在无效运动 | 采用高精度硅基位移传感器与柔性铰链具备高可靠、长寿命 |
-较高的底噪
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超低底噪(10-50pm) |
-速度的局限 |
超高速:谐振频率7000Hz(Max)
|
5.PIEZOCONCEPT使用什么类型的传感器?为什么它优于其他传感器技术?
PIEZOCONCEPT使用单晶硅传感器,称为硅基位移传感器。尽管它是应变传感器大家族的一部分,但它优于其他两种常用传感器(电容式传感器和金属应变传感器)。这两种传感器与PIEZOCONCEPT单晶硅传感器相比都有明显的缺点。
电容式传感器与PIEZOCONCEPT硅基位移传感器相比,对以下方面很敏感:
•气压变化:空气的介电常数取决于气压。测量将受到任何压力变化的影响。
•温度变化:空气的介电常数也会随温度变化。
•污染物的存在。
以上所有这些都会导致纳米级的一些不稳定性,即使可以对空气压力和温度进行校正,也不可能校正其它因素(污染物、排气)的影响。这解释了电容式传感器在真空环境中性能不佳的原因。此外,电容传感器非常昂贵和笨重。硅HR传感器技术是一种固态技术,它的电阻不依赖于空气压力或污染物的存在。其次,虽然温度变化对测量有影响(主要是因为材料的热膨胀),但这可以通过使用传感器阵列进行校正。基本上,PIEZOCONCEPT在每个轴上使用两个平行的硅传感器,一个用于测量,另一个用于考虑温度变化引起的材料膨胀。
6.金属应变传感器与PIEZOCONCEPT硅基位移传感器的比较。
金属应变传感器和PIEZOCONCEPT硅基位移传感器之间的差异更大。
第1个区别是应变系数:半导体应变传感器(硅基位移传感器)的应变系数大约是金属应变传感器的100倍。更高的应变系数导致更高的信噪比,zui终导致更高稳定性。
第2个区别是金属应变传感器不能直接安装在挠曲装置上(也就是实现运动的地方):金属应变传感器必须安装在某种“背衬”上,这就导致了压电致动器存在蠕变或滞后现象。由于压电致动器的膨胀不均匀,因此仅测量致动器的一部分伸长率无法精确推导其完整伸长率。硅基位移传感器是通过对挠曲本身进行测量,不存在这种“不均匀性”问题。
综上所述,硅基位移传感器在环境背景中优于电容式传感器,在信噪比和稳定性方面优于金属应变传感器。
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