Qorvo的UF3C065080B3 650 V，80 mohm RDS（on）SiC FET器件基于的级联电路配置，其中常开SiC JFET与Si MOSFET共同封装，以产生常关SiC FET设备。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换Si IGBT、Si超结器件或SiC MOSFET时需要最少的重新设计。该器件采用D2PAK-3L封装，具有超低栅极电荷和的反向恢复特性，非常适合与推荐的RC缓冲器一起使用时切换电感负载，以及任何需要标准栅极驱动的应用。Qorvo的CMD177C3是一款无引线表面安装封装的通用双平衡混频器，可用于6至14 GHz之间的上变频和下变频应用。CMD177C3混频器MMIC由于优化的巴伦结构，对RF和IF端口都具有非常高的隔离度，并且可以在低至+9dBm的LO驱动电平下工作。CMD177C3可以很容易地配置为具有外部混合器和功率分配器的图像抑制混频器或单边带调制器。Qorvo的CMD182C4是一款紧凑型GaAs RF/微波I/Q混频器MMIC，采用无引线表面安装（SMT）封装，可用作图像抑制混频器或单边带上变频器。CMD182C4 I/Q混频器MMIC采用两个双平衡混频器单元和一个90度混频器。需要一个外部IF混频器来完成图像抑制。CMD182C4 MMIC混频器是混合镜像抑制混频器和单边带上变频器组件的更小、成本更低的替代品。
