日本古河furukawa氮化铝 (AlN) 陶瓷零件半导体制造设备用
半导体制造设备（用于前端工艺）需要应对更小的设计规则和更大的晶圆直径（300mmφ或更大）。为此，构成设备的部件材料的选择极其重要。
氮化铝（AlN）是一种平衡良好的材料，具有优异的导热性、热辐射（散热）、抗热震性和电绝缘性，并且具有与硅晶片相匹配的热膨胀性。
利用古河电子的烧成技术，我们还能够制造550mmφ的氮化铝陶瓷部件。我们还将应对更大直径的晶圆。
我们还提供材料。如果您对氮化铝陶瓷有任何疑问，请随时与我们联系。
特征
具有高导热率和热发射率，热量均匀性高。
它具有抗热冲击能力，可以承受快速加热和冷却。
与硅相匹配的低热膨胀。
对氟气具有优异的耐腐蚀性。
目的
半导体制造装置（CVD、蚀刻等）用各种基座、静电吸盘、均热板、真空吸盘、加热器
虚拟晶圆
目标
化合物半导体制造设备零部件
型号：FAN-090 / FAN-170 / FAN-200
