半体曝光设备的应用
半导体曝光装置用于包含MOS（金属氧化物半导体）、FET（场效应晶体管）等半导体元件的IC（集成电路）的制造工序中的曝光工序。
在IC制造过程中，在硅晶片上依次重复光刻和蚀刻循环，并且在将氧化硅、金属等层层压并加工成预定图案的过程中，半导体元件所需的特性被加工为执行得如此，它已经 .例如，在n型MOS（NMOS）的情况下，在p型硅基板的栅极区域上形成氧化硅膜和栅极金属，并且将高浓度的杂质离子注入到漏极和源极中。这形成了n型（n+型）MOS。这一系列工序中的光刻工序和蚀刻工序如图所示地构成(成膜工序S1～抗蚀剂剥离工序S6)。
其中，曝光工序(S3)使用半导体曝光装置来进行。根据电路图案的尺寸和半导体元件的 ，使用不同的 。
关于EUV曝光设备
EUV（Extreme Ultraviolet的缩写）曝光设备是一种使用被称为极紫外光的极短波长光的半导体曝光设备。可以加工使用ArF准分子激光的传统曝光设备难以加工的 细尺寸。
半导体小型化正在按照摩尔定律进行（半导体集成电路的高度集成度和功能将在三年内提高四倍）。到目前为止，通过称为步进器的缩小投影曝光技术、更短的曝光波长和浸没式曝光技术的开发，分辨率已得到显着提高。
小型化是指晶圆上可印刷的最小加工尺寸变得更小，最小加工尺寸R由下面的瑞利方程表示。
R=k·λ/NA *k为比例常数，λ为曝光波长，NA为曝光光学系统的数值孔径
通过各种技术的发展，通过减小k、减小λ和增大NA来实现小型化。
EUV曝光设备被认为是一种可以通过缩短曝光波长来克服以往限制的技术，近年来已实现量产。
半导体光刻设备目前对于半导体的高效量产来说是 的，但据称它是 的机器，而且价格昂贵。
半导体曝光设备中使用的光源的波长越短，可以形成的图案 并且曝光设备变得越昂贵。据称每个波长的成本为i-line约4亿日元、KrF约13亿日元、ArF干式约20亿日元、ArF浸没式约60亿日元、EUV约200亿日元。
电路越小，可以实现越快的信号传输和节能，但近年来，由于小型化，无法忽视工艺成本的增加，包括半导体曝光设备的价格。
就半导体光刻设备所需的性能而言，从半导体制造的成本角度来看，半导体光刻设备的吞吐量也是一个重要指标。吞吐量是表示电路图案曝光速度的性能，随着吞吐量的增加，每个硅芯片的制造成本 降低。这在半导体芯片的大规模生产过程中非常重要。
