德国FITOK原子层沉积隔膜阀ALD系列的介绍
半导体应用-FITOK ALD 系列原子层沉积隔膜阀
简介
原子层沉积 (Atomic Layer Deposition) 是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。随着芯片节点尺寸的不断缩小，传统沉积技术已达到其极限，在纳米级上沉积超薄层需要原子层沉积 (ALD) 技术，该技术可使材料一次沉积一个原子层。FITOK ALD 系列原子层沉积隔膜阀可应用于原子层沉积工艺，在半导体芯片制造的沉积工艺中输送精确剂量的气体，以实现先进技术所需的均匀气体沉积。
特征
1.高速执行下超高循环寿命
2.响应速度快，可在低于 5 ms 内完成阀门开启和关闭
3.耐热型延长热应用场合的执行器寿命
4.全封闭阀座设计，具有优的越的抗膨胀和防污染能力
5.Elgiloy 合金隔膜提高强度和耐腐蚀，使用寿命长
6.高纯级 PFA 阀座，广泛的化学兼容性
7.极少产生颗粒和死区，易吹扫
8.提供带电感式传感器、电磁阀组件及加热棒和热电偶安装孔的阀门
技术参数
应用
适用于以下半导体领域的原子层沉积 (ALD)工艺
1.晶体管栅极介电层（high-k）和金属栅电极（metal gate）
2.微电子机械系统（MEMS）
3.光电子材料和器件
4.集成电路互连线扩散阻挡层
5.平板显示器（有机光发射二极管材料，OLED）
6.光学元件
7.太阳能电池
8.各类薄膜（<100 nm）
