摘要：化学机械抛光（CMP）是半导体制造中关键的平坦化工艺，而控制研磨液中的大颗粒计数（LPC）对确保晶圆表面质量和提高产品良率至关重要。随着工艺向更小纳米级发展，对LPC的检测精度要求更高。文章讨论了LPC检测的技术难点，包括高浓度样品干扰和大颗粒计数量化问题，并提出了自动稀释技术和高灵敏度的单颗粒光学传感技术（SPOS）作为解决方案。此外，文章还探讨了LPC对CMP工艺的影响，包括表面平整度、抛光速率和设备损耗，并提供了从原材料到CMP slurry制造端的整套LPC监控方案，以优化工艺参数和保证设备稳定运行。
关键词：大颗粒计数，LPC，化学机械抛光，研磨液，Slurry，
