少子寿命是指光生电子和空穴从一开始在半导体中产生直到消失的时间。它是半导体材料和器件的一个重要参数，直接影响器件的性能。少子寿命越长，器件的性能越好。
影响少子寿命的因素主要包括有害的杂质和缺陷。去除这些杂质和缺陷可以延长少子寿命，而加入能够产生复合中心的杂质或缺陷则会缩短少子寿命。例如，掺入Au、Pt或采用高能粒子束轰击等都会减少少子寿命。
少子寿命的测试采用了准稳态光电导（QSSPC）等方法，可以灵敏地反映单、多晶硅片的重金属污染及陷阱效应等缺陷情况。这种测试方法在太阳能电池的研发和生产过程中被广泛选用，用于监控和优化制造工艺。
