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MTS位移传感器RH5MA0580M01P051S1011G8技术原理

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2025/1/10 17:04:41
MTS位移传感器RH5MA0580M01P051S1011G8技术原理
  - 磁致伸缩效应:MTS位移传感器主要基于磁致伸缩效应工作。传感器内部包含一个波导管和一个可移动的永磁铁,当电流脉冲(即“询问信号”)通过传感器电子头送出并沿波导管传输时,会在波导管周围产生一个径向磁场。这个磁场与永磁铁产生的纵向磁场相交,在波导管的瞬间产生“磁致伸缩”现象,即一个应变脉冲。这个应变脉冲以超声的速度运行回传感器电子头并被检测器检测出来,从而计算出磁铁的位置。
  - 非接触式设计:由于敏感元件都是非接触式的,平均时间长达23年。这种设计消除了所有因工作磨损带来的误差,确保了很高的可靠性和长期稳定性。


MTS传感器供应型号: 

GT2M0400MH101A0

ERS0090UD341V11

EP01600MD341A01

GBS0125MD341A1SC

RHM1500MD70-1S1B8100

RPK1500MD601A02

RHM0075MP051S2G6100含电缆+磁环201542-2

RHM0520MP101S1G1100

RHM0930MP101S1G1100

RPS0450MD561E101

RPS0300MD561E101

RPS0150MD561E101

GE450201610180031

GE450201610180032

RHM0350MP151S1G1100

RHM0100MP021S1G8100

RHM0730MP031S1G3100

RHS2575MN021S1G1100

RHM0065MP081S1G8100

RHM0170MP101S1G1100

RHM1065MP101S1G6100

RPS1700MD701S1G1100

RPS1400MD701S1G1100

RHM0140MP101S1G8100

RHM1490MP101S1G6100

RHM0075MP071S1G6100

EP00400MD341A01

RHM1250MD531P102

RHM0190MP101S1G8100+NO.201542+NO.400412

 


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