苏州智河环境试验设备有限公司
2012/9/3 10:02:34| 中华人民共和国 *发布 |
半导体器件
机械和气候试验方法
第4部分：强加速（HAST）
本部分规定了强加速（HAST）方法，用于评价非气密封装半导体器件在潮湿的环境下的可靠性。
强加速通过施加严酷的温度、湿度和偏置条件来加速潮气穿透外部保护材料（灌封或密封）或外部保护材料和金属导体的交接面。此试验应力产生的失 效机理通常与“85/85”稳态温湿度偏置寿命试验（见GB 4937.5）相同。试验方法可以从85℃/85% RH 稳态寿命试验或本试验方法中选择。在执行两种试验方法时，85℃/85% RH 稳态寿命试验的结果优先于强加速（HAST）。
本试验方法应被视为破坏性试验。
试验需要一台能连续保持规定的温度和相对湿度的压力容器，同时提供电连接，试验时给器件施加规定的偏置条件。
在上升到规定的试验环境和从规定的试验环境下降过程中，压力容器应能够提供受控的压力、温度和相对湿度条件。
推荐记录每一次试验循环的温度分布，以便验证应力的有效性。
受试器件应以zui小化温度梯度的方式安装。受试器件应放置在箱体内距箱体内表面至少3cm，且不应受到发热体的直接辐射。安装器件的安装板应对蒸汽循环的干扰zui小。
应认真选择安装板和插座的材料，将污染物的释放减到zui少，将由于侵蚀和其他机理造成的退化减到zui少。
应对试验设备（插件柜、试验板、插座、配线储存容器等）的离子污染进行控制，以避免试验样品受到污染。
应使用室温下电阻率zui小为1×104 Ω·m的去离子水。
试验条件由温度、相对湿度和器件上施加规定偏置的持续时间组成。
温度、相对温度和持续时间见表1。
| 温度a （干球） ℃ | 相对湿度a ％ | 温度b （湿球） ℃ | 蒸汽压b kPa | 持续时间c h |
| 130±2 | 85±5 | 124.7 | 230 | 96+2 0 |
| 110±2 | 85±5 | 105.2 | 122 | 264+2 0 |
| 注1：对于器件在24h内或更少的时间内达到吸收平衡的，HAST试验至少等同于在环境条件为85℃/85％RH 下1000h试验，对于器件在规定的HAST条件下，要多于24h才能达到吸收平衡的，持续时间应延长，以使器件达到吸收平衡。 注2：对于塑封微电路，潮湿会降低模塑材料的有效玻璃化转换温度。高于有效玻璃化转换温度的试验温度所导致的失效机理与标准试验条件85℃/85％RH无关。 | ||||
| a 容差适用于整个的试验范围。 b 仅作为参考。 c 除中间电测量，器件应在5.5规定的时间内恢复应力外，试验不应被中断。选择的96h和264h试验至少等效于1000h的环境条件为85℃/85％RH 、zui严酷激活能量Ea＝0.65eV的试验。 | ||||
根据下列准则施加偏置：
e） 可采用两种偏置中任意一种满足上述准则，并取严酷度较高的一种：
1） 持续偏置
持续施加直流偏置。当芯片温度高于试验箱环境温度小于等于10℃或受试器件（DUT）的热耗散小于200mW且不知道芯片的温度时，持续偏置比循环偏置严 酷。如果受试器件（DUT）的热耗散超过200mW，应计算芯片的温度。如果芯片温度超过试验箱环境温度5℃或5℃以上，应把芯片温度与试验环境温度的差 值记录在试验结果中，加速的失效机理将受到影响。
2） 循环偏置
试验时施加在器件上的直流电压按照适当的频率和占空比周期性的中断。如果偏置条件导致芯片温度高于试验箱温度，其差值△Tja超 过10℃，且对特定的器件类型为*的偏置条件时，循环偏置将比持续偏置严酷。功率耗散产生的热量驱散了芯片表面和周围与失效机理有关系的湿气。在关断期 间，器件没有功率耗散时湿气汇集于芯片。对大部分塑封微电路，受试器件（DUT）采用50％的占空比进行循环偏置。对于封装厚度大于等于2mm的器件 其循环施加电压时间应小于等于2h，封装厚度小于2mm的器件其循环施加电压时间应小于等于30min。基于已知热阻和耗散计算出的芯片温度超过试验箱环 境温度5℃或5℃以上时，芯片温度应记录在试验结果中。
选择持续偏置或循环偏置的标准，和是否记录芯片温度超过试验箱环境温度的差值按表2中的规定。
| △Tja | 循环偏置 | 记录△Tja |
| △Tja＜5℃，或受试器件的功率＜200 mW | 否 | 否 |
| △Tja≥5℃或受试器件的功率≥200 mW，且△Tja＜10℃ | 否 | 是 |
| △Tja≥10℃ | 是 | 是 |
受试器件应以一定的方式安装、暴露在规定的温湿度环境中，并施加规定的偏置电压。器件应避免暴露于过热、干燥或导致器件和电夹具上产生冷凝水的环境中，尤其在试验应力上升和下降过程中。
达到稳定的温度和相对湿度环境的时间应少于3h。通过保证在整个试验时间内试验箱的干球温度超过湿球温度来避免产生冷凝，并且上升的速率不能太快以确保受 试器件（DUT）的温度不低于湿球温度。在干燥的实验室，试验箱的初始环境比较干燥，应保持干球和湿球温度，使加热开始后相对湿度不低于50%。
*阶段下降到比较小的正表压（湿球温度大约104℃），为避免试验样品快速减压，这段时间应足够长，但不能超过3h。第二阶段湿球温度从104℃到室 温，可通过试验箱的通风口来实现。此阶段不限制时间，并且允许使用冷却压力容器。在下降的两个阶段，都应通过保证在整个试验时间内试验箱干球温度超过湿球 温度来避免在器件上产生冷凝水，下降过程应保持封装芯片的模塑材料的潮气含量。而且*阶段的相对湿度应不低于50％（见5.1）。
试验计时从温度和相对湿度达到规定条件开始到下降开始时结束。
在上升和下降阶段可选择是否施加偏置。器件加载后应在试验计时开始前验证偏置，在试验计时结束后且在器件移出试验箱之前也要验证偏置。
下降阶段结束后48h内进行电测试。
器件、安装板和设备应使用适当的保护处理，在强加速潮湿试验过程中，污染控制是很重要的。
在强加速后，如果器件参数超过极限值，或按适用的采购文件和数据表中规定的正常和极限环境中不能验证其功能时，器件视为失效。
应当遵守设备厂商的建议和地方安全规章制度。
有关的采购文件中应规定如下的内容：
a）试验持续时间（见4.1）；
b）温度（见4.1）；
c）试验后测量（见5.5）；
d）偏置条件（见4.2）；
e）在试验期间如果芯片温度高于试验箱环境温度5℃以上时芯片的温度（见4.2）；
f）如果使用循环偏置，则规定偏置的频率和占空比（见4.2）。
