发布日期： 2026年04月09日
作者： 森德仪器/应用技术部
仪器类别： 检测设备、分析仪器
阅读时间： 约 15 分钟
关键词： 刻蚀终点检测、OES、激光干涉、EPD、森德仪器、实验室设备
物理本质： 随着刻蚀层被穿透，底层材料进入等离子体环境。此时，特定反应产物的谱线强度会剧烈增加（上升沿信号），或者反应气体的消耗量发生变化（下降沿信号）。
信号处理： 通过主成分分析（PCA）等算法，可以从复杂的等离子体背景噪声中提取出微弱的终点特征波长。例如，在刻蚀氮化硅（SiN）切换到硅（Si）界面时，监控 CN 分子的谱线波动是行业通用手段。
物理本质： 激光束射向晶圆，利用薄膜表面与刻蚀界面反射光的光程差产生干涉条纹。
深度闭环： 随着刻蚀深度的增加，干涉条纹发生周期性震荡。通过计算条纹的波峰波谷数量（Fringe Counting），可以实时计算出当前的残余厚度或刻蚀深度，实现真正意义上的深度控制。
评估指标 | 光学发射光谱 (OES) | 激光干涉仪 |
|---|---|---|
检测对象 | 等离子体组分变化 (化学) | 薄膜厚度/深宽比 (物理) |
对开孔率敏感度 | 较高 (开孔率越低，信号越弱) | 非常高 (需对准特定图形区域) |
实时深度反馈 | 无法直接提供深度数值 | 可精确到纳米级的实时深度 |
适应工艺 | 全局性刻蚀、大面积刻蚀 | 盲孔刻蚀、沟槽刻蚀、深孔刻蚀 |
算法复杂度 | 高 (需进行光谱去噪与多元回归) | 中 (条纹计数与相位解析) |
硬件要求 | 光谱探头、光纤耦合 | 高稳定激光源、精准对位系统 |
应用场景： 在多晶硅栅极刻蚀到超薄栅氧化层（Gate Oxide）时停止。
技术要求： 非常高的选择比，防止击穿仅有几个原子层厚的氧化层。
森德适配性： 森德提供的超高分辨率 OES 系统，支持从 200nm-1100nm 的全谱同步采集，能够捕捉极低开孔率（<1%）下的微弱组分跃迁信号，确保停留在界面层。
应用场景： 在数百层交替沉积的氧化物/氮化物（ONON）堆叠结构中监控刻蚀深度。
技术要求： 激光需穿透高深宽比结构并获取底部的反射信号。
森德适配性： 我们的激光干涉终点检测模块采用长相干红外激光源，具备非常好的穿透能力，能够实时计算多层堆叠结构的刻蚀周期，消除批次间速率波动的影响。
应用场景： 先进封装中要求通孔深度高度一致，以确保后续金属填充的可靠性。
技术要求： 实时深度监测，误差需控制在 1% 以内。
森德适配性： 结合激光相移干涉技术与反射率建模，森德设备可实现在不影响刻蚀环境的前提下，对 TSV 深度进行微秒级响应监控。
信噪比难题： 在极小开孔率（<0.5%）场景下，OES 信号极易淹没。解决方案： 森德推荐使用多通道光谱融合技术，结合激光干涉仪的辅助对位，提高信噪比。
窗口污染控制： 刻蚀产物在腔室视窗上的沉积会阻碍光信号采集。解决方案： 采用防污染气帘设计或加热窗口技术，可大幅延长维护周期，确保监控稳定性。
SEMI E116: 刻蚀终点检测信号协议与数据通信规范。
SEMI S2: 半导体生产设备环境、健康与安全评价准则（包含激光安全评价）。
ISO 16079: 光学和光子学——刻蚀工艺监控系统的性能表征。
