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AEC-Q200试验条件:高温储存 高温工作寿命 温度循环

广东宏展科技有限公司

2016/6/12 9:58:33

AEC-Q200试验条件

高温储存 高温工作寿命 温度循环

说明:AEC-Q200的环境试验条件,主要是依据MIL-STD-202与JEDEC22A-104规范来制定的,不同零件的试验温度除了不一样之外,其施加电源(电压、电流、负载)要求也会有所不同,高温储存属于不施加偏压与负载,但是在高温工作寿命就需要,温度循环与温度冲击,其试验目的与手法不一样,在温度循环中高低温变化需控制温变率,温冲击则不用,偏高湿度就是俗称的高温高湿试验,而湿度抵抗就是湿冷冻试验

试验条件注意事项:1000h试验过程需在250h、500h进行间隔量测

高温储存(MIL-STD-202-108):[适用设备:高低温试验箱
薄膜电容、网络低通滤波器、网络电阻、热敏电阻、可变电容、可变电阻、陶瓷共鸣器、EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器:85℃/1000h
电感、变压器、电阻:125℃/1000h
变阻器:150℃/1000h
钽电容、陶瓷电容、铝电解电容:zui大额定温度/1000h
 

高温工作寿命(MIL-STD-202-108):[适用设备:高低温试验箱]   
网络低通滤波器、网络电阻:85℃/1000h
EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器:85℃/1000h/施加额定IL
钽电容、陶瓷电容:zui大额定温度/1000h/ (2/3)负载/额定电压 
铝电解电容、电感、变压器:105℃/1000h
薄膜电容:1000h/(85℃/125%额定电压、105℃&125℃/100%额定电压)
自恢复保险丝:125℃/1000h
电阻、热敏电阻、可变电容:125℃/1000h/额定电压
可变电阻:125℃/1000h/额定功率
变阻器:125℃/1000h/额定电压85%+ma电流
陶瓷共鸣器:85℃/1000h/额定VDD+1MΩ,并联逆变器,在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容
石英震荡器:125℃/1000h/额定VDD+1MΩ,并联逆变器,在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容

温度循环(JEDEC22A-104):[适用设备:冷热冲击试验箱、ESS快速温度变化试验箱]  
薄膜电容、可变电容、可变电阻、陶瓷共鸣器、EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器:-55℃(30min)←→85℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles
钽电容、陶瓷电容、电阻、热敏电阻: -55℃(30min)←→125℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles
铝电解电容:-40℃(30min)←→105℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles
电感、变压器、变阻器、石英震荡器、自恢复保险丝:-40℃(30min)←→125℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles
网络低通滤波器、网络电阻:-55℃(30min)←→125℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles

温度冲击(MIL-STD-202-107):[适用设备:温度循环箱、冷热冲击试验箱]
自恢复保险丝:
-40℃(15min)←→125℃(15min)/300cycles 
偏高湿度(MIL-STD-202-103):[适用设备:高低温湿热试验箱
钽电容、陶瓷电容:85℃/85%R.H./1000h/电压1.3~1.5V
电感&变压器:85℃/85%R.H./1000h/不通电
铝电解电容:85℃/85%R.H./1000h/额定电压
EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器:85℃/85%R.H./1000h/额定电压&电流
电阻、热敏电阻:85℃/85%R.H./1000h/工作电源10%
自恢复保险丝:85℃/85%R.H./1000h/额定电流10%
可变电容、可变电阻:85℃/85%R.H./1000h/额定功率10%
网络低通滤波器&网络电阻:85℃/85%R.H./1000h/电压[网络电容(额定电压)、网络电阻(10%额定功率)]
变阻器:85℃/85%R.H./1000h/额定电压85%+ma电流
石英震荡器、陶瓷共鸣器:85℃/85%R.H./1000h/额定VDD+1MΩ,并联逆变器,在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容
薄膜电容:40℃/93%R.H./1000h/额定电压


湿度抵抗(MIL-STD-202-106):[适用设备:高低温湿热试验箱]
薄膜电容:(25℃←→65℃/90%R.H.*2cycle)/18h→-10℃/3h,每一cycle共24h,step7a&7b不通电

 

 

 

 

AEC-Q200专有名词整理:

简称

中文

英文

说明

8D

解决问题方法

 

 

AEC

汽车电子设备协会

Automotive Electronic Council

由车厂[克赖斯勒(Chrysler)、福特(Ford)、通用汽车(GM)]发起并创立于1994年,目前会员遍及各大汽车厂、汽车电子与半导体厂商。

AEC-Q001

零件平均测试指导原则

 

 

AEC-Q002

统计式良品率分析的指导原则

 

 

AEC-Q003

芯片产品的电性表现特性化的指导原则

 

 

AEC-Q005

无铅测试要求

 

 

AEC-Q100

基于集成电路应力测试认证的失效机理

 

规范了零件供货商所必须达成的产品质量与可靠度,试验条件多仍以JEDEC或MIL-STD为主,外加上其它独立建置的测试手法。

AEC-Q100-001

邦线切应力测试

 

 

AEC-Q100-002

人体模式静电放电测试

 

 

AEC-Q100-003

机械模式静电放电测试

 

 

AEC-Q100-004

集成电路闩锁效应测试

 

 

AEC-Q100-005

可写可擦除的*性记忆的耐久性、数据保持及工作寿命的测试

 

 

AEC-Q100-006

热电效应引起的寄生闸极漏电流测试

 

 

AEC-Q100-007

故障仿真和测试等级

 

 

AEC-Q100-008

早期寿命失效率(ELFR)

 

 

AEC-Q100-009

电分配评估

 

 

AEC-Q100-010

锡球剪切测试

 

 

AEC-Q100-011

带电器件模式的静电放电测试

 

 

AEC-Q100-012

12V系统灵敏功率设备的短路可靠性描述

 

 

AEC-Q101

汽车级半导体分立器件应力测试认证

 

 

AEC-Q200

无源器件应力测试标准

 

 

AEC-Q200-001

阻燃测试

 

 

AEC-Q200-002

人体模式静电放电测试

 

 

AEC-Q200-003

横梁负载、断裂强度

 

 

AEC-Q200-004

自恢复保险丝测量程序

 

 

AEC-Q200-005

板弯曲度测试

 

 

AEC-Q200-006

表面贴装后的剪切强度测试

 

 

AEC-Q200-007

电涌测试

 

 

 

汽车等级认证

Automotive Grade Qualification

 

DWV

耐压

 

 

DPM

百万缺陷数

defect per million

半导体组件的缺陷率

EIA-469

破坏性的物理分析

 

 

EIA-198

陶瓷电介质电容器

 

 

EIA-535

钽电容

 

 

ESD

静电放电

 

 

EWS

电性晶圆测试

Eletrical Wafer Sort

 

FIT

故障时间

 

 

HRCF

高可靠性认证流程

High Reliability Certified Flow

 

IEC 10605

静电放电人体模式

 

 

ISO-26262

车辆机能安全

 

 

ISO-7637-1

道路车辆电子干扰

 

 

JEDEC-STD-002

可焊性规格

 

 

JEDEC-STD-121

测量锡和锡合金表面涂层的锡须生长测试方法

 

 

JEDEC-STD-201

锡和锡合金表面涂层的锡须环境验收要求

 

 

JEDEC22A-104

温度循环

 

 

MIL-PRF-27

电感/变压器的测试方法

 

 

MIL-STD-202

国防部标准电子及电气组件测试方法

 

 

NEMI

东京锡须会议

 

 

PPAT

参数零件平均测试

Parametric Part Average Testing

 

PPB

十亿分之一

Parts Per Billion

 

 

筛选方法

Screening Method

 

SYA

统计性良率分析

Statistical yield analysis

 

 

应力测试

Stress Test

 

UL-STD-94

塑料材料可燃性测试

 

 

 

 

 

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