资料下载

芯片弹坑深度三维测量方案:基于共聚焦光学的大坡度粗糙面检测技术

资料信息
pdf     658.4KB
上传时间
2026-09-30 10:00:04
上传者
深圳市中图仪器股份有限公司
关键词
共聚焦显微镜,半导体检测,弹坑深度测量,大坡度粗糙测量,三维形貌
点此下载

中图仪器VT6100共聚焦显微镜 突破芯片弹坑 71.8° 大陡壁测量极限 0.1nm 分辨率无损检测.jpg

内容概要:本文介绍了基于共聚焦光学的大坡度粗糙面三维测量技术,重点解决芯片弹坑深度检测中的高陡壁、低反射率和表面粗糙等复杂工况下的无损测量难题。通过采用中图仪器VT6100共聚焦显微镜,结合尼普科夫转盘结构与弱光解析算法,突破传统光学干涉和接触式测量的物理限制,实现最高71.8度倾角的陡壁无损重建,精确测定弹坑深度在1.2-1.7μm之间,系统重复性精度≤12nm,保障了IC封装过程中三维形貌数据的完整性与高信度。


适合人群:半导体制造领域的质量控制工程师、测试工程技术人员、封装工艺研发人员以及从事高精度光学测量设备选型的技术决策者;具备一定光学测量或微电子工艺背景的专业人士。


使用场景及目标:

①应用于芯片烧蚀或制程中产生的弹坑三维形貌无损检测;

②支持先进封装中对微裂纹风险、应力分布建模所需的高精度几何边界条件输入;

③替代传统接触式或常规光学手段,提升产线检测精度与可靠性。


阅读建议:此资源侧重于工程应用层面的技术验证与指标对比,建议结合实际检测需求,参考其测量链条设计与不确定度控制逻辑,用于设备选型论证和技术方案优化。

最新产品

猜你喜欢

下载此资料需要您留下相关信息

对本公司产品近期是否有采购需求?

是 否
企业未开通此功能
详询客服 : 0571-87858618

抱歉,暂无符合条件的解决方案