系统介绍：

GMPS-RIE反应离子刻蚀机、GMPS-PEVCD等离子增强化学气相沉积系统:、GMPS-PVD物理气相沉积系统、GMPS-HDP高密度等离子系统、GMPS-200LL装载互锁等离子系统、GMPS-17等离子蚀刻系统、GMPS-17-MC多功能等离子系统、GMPS-PL多腔体等离子系统

PLASMA等离子• ETCH蚀刻 • PVD物理气相沉积 • PECVD  等离子增强化学气相沉积• HDP高密度等离子 • CLUSTER多舱体设备

GMPS模块化等离子系统具有如下特点：

• 满意任何等离子应用的硬件配置

• 具有zui广泛的适配等离子工艺

• 业内认可的等离子系统设计方案，可批量处理基片

• 可选择40多款模块化部件

• 等离子系统采用高品质、可靠性高的主要部件；

• 方便维护及修理

GMPS模块化等离子基础系统
无论客户的需要是反应离子刻蚀（RIE）, 物理气相沉积（PVD）, 化学气相沉积（CVD）, 等离子蚀刻（Plasma Etch）, 高密度等离子（HDP）或是任何的混合应用。基础系统的设计可容纳任何的等离子工艺模块，以便满足特定的需要。系统基础单元包括一个多功能的处理舱、高导电真空系统配备自动下游压力控制。系统单元标配温度补偿电容式真空计及质量流量计。为方便维护、该系统单元装配在一个多功能的机柜内，配备拉启侧板，方便维护ISO/KF真空管件。标准的48厘米支架用于简化等离子系统的电子系统的安装。不锈钢材质的工艺处理舱的三项模块化设计可方便定制。配套接口可使用户添加不同部件的灵活性。

GMPS系列模块化等离子系统升级UPGRADES

GMPS系列模块化等离子系统的模块化设计理念可容纳为了系统的扩展应用。标准及OEM部件在系统中普通使用，允许在需要时扩展更多模块化部件。

GMPS系列模块化等离子系统有如下型号及系列可供选择：

GMPS-RIE反应离子刻蚀机：

Ø 目前市面上用于R&D或是小批量生产的*等离子系统;

Ø 可对如下材料进行蚀刻：二氧化硅SiO2, 氮化硅SiNx, TiW, 砷化镓GaAs, resist, ILD, 聚酰亚胺polyimide, micromachining （MEMS）, photonics, HTSC's及失效分析;

Ø 可容纳从大小的任何尺寸基片，晶圆片，平板或定制封装。

Ø 方便使用、维护简单。

Ø 安全、坚固设计包装可靠性高及可观的正常运行时间。

Ø 真空处理舱结构有五块简单的部件制造而成，具有多功能、方便升级的特点。

Ø 多用途等离子工艺包，不受工艺记忆影响。

GMPS-PEVCD等离子增强化学气相沉积系统:

Ø 高性能低价位等离子增强化学气相沉积系统；

Ø 可沉积镀膜如下薄膜：SiO2, SiNx, Amorphous Si, Oxynitride 及 carbon films；

Ø 低温钝化、ILD薄膜用于III-V 及HTSC化合物；

Ø 可配置成为PEVCD等离子增强化学气相沉积系统或是电子回旋共振（ECR）沉积系统；

Ø 安全联锁装置符合严格的安全要求；

Ø 采用残余剥离冷冻泵，保证了低氢含量薄膜； 

Ø 科技，混合等离子电源配置及脉冲射频选配用于应力控制；

Ø 闭环（PID）沉积镀膜温度控制； 

Ø *的“直连”系统制造技术，方便日后系统设备的维护及升级； 

GMPS-PVD物理气相沉积系统

Ø 高性能低价位物理气相沉积系统；

Ø Al, Au, AlSi, Cu, AlCuSi 薄膜金属化；

Ø SiO2, SiNx, TaN, TiNx 薄膜；

Ø 低温钝化、ILD薄膜用于III-V 及HTSC化合物；

Ø 可配置成单靶或多靶沉积系统工具；

Ø 可选配直流或射频电源溅射；

Ø 安全联锁装置符合严格的安全要求；

Ø 采用残余剥离冷冻泵，保证了低氢含量薄膜； 

Ø *的“直连”系统制造技术，方便日后系统设备的维护及升级；

GMPS-HDP高密度等离子系统：

高密度等离子系统设备提供产生具有活性非常高的等离子体，且对基片/晶圆片爆射较低的特性。较高的等离子蚀刻（或等离子沉积）速率及较低的温度工艺处理温度仅仅是高密度等离子体（HDP）的两点优势。GMPS-HDP高密度等离子系统采用基本的反应离子刻蚀（RIE）（或等离子增强化学气相沉积系统PEVCD）平台建造，采用获得、可靠性高、  磁耦合等离子体（MCP）电源产生高离子通量。鉴于*的磁耦线圈设计及低频率，磁耦合等离子体（MCP）电源比电子回旋共振（ECR）沉积系统具有更高的可靠性。通常GMPS-HDP高密度等离子系统用于蚀刻，也可用于沉积。

Ø SiO2, SiNx, TiW, GaAs, resist, ILD and polyimide, micromachining （MEMS）, photonics, HTSC's, 及失效分析;

Ø 可容纳从1~12英寸大小的任何尺寸基片，晶圆片，平板或定制封装；

Ø 溅射靶聚焦电磁，具有良好的过程过程均匀性；

Ø 方便使用、维护简单；

Ø 安全、坚固设计包装可靠性高及可观的正常运行时间；

Ø 真空处理舱结构有六块简单的部件制造而成，具有多功能、方便升级的特点；

GMPS-200LL装载互锁等离子系统技术规格：

无论等离子工艺处理的要求是敏感的蚀刻工艺或是临界钝化沉积，GMPS-200LL装载互锁等离子系统提供zui安全的新环境处理所有的苛刻的等离子干法处理工艺。我们*的传送机械手提供无忧交替运输系统。仅需装载基片/晶圆片，按下运行键，基片/晶圆片即可被自动化处理，具有*的可靠性和正常运行时间。

Ø 可选配等离子刻蚀（Plasma etch）, 反应离子刻蚀（RIE）, 等离子增强化学气相沉积（PECVD）, 及电子回旋共振（ECR） 电源 ；

Ø 特别适用于腐蚀性及危险化学工艺处理；

Ø 安全减少微粒子污染；

Ø 可蚀刻金属、poly, Si trench, refractory silicides, III-V features, GaAs backside vias, 或沉积 ILD's；

Ø 可处理任何尺寸、形状的基片，zui大可达300mm;

Ø 消除水蒸气及其它污染物；

Ø *的基片/晶圆片装载机械手-可靠性高、操作简便且具有自动对对准功能；

Ø 快速抽真空。提高等离子处理产量。

GMPS-17等离子蚀刻系统：

该等离子蚀刻系统是一款基础型的等离子蚀刻系统功能工具，可以配置咋等离子蚀刻或反应离子蚀刻模式下运行。是一款性能杰出的实验室设备，也可用于小批量生产领域。

Ø 可供给电源给上电极或下电极；

Ø 可蚀刻SiO2, SiNx, TiW, GaAs, resist, ILD、polyimide, micromachining （MEMS）, photonics及 HTSC's 

Ø 可容纳从1~12英寸大小的任何尺寸基片，晶圆片，平板或定制封装；

Ø 方便使用、维护简单；

Ø 真空处理舱结构有五块简单的部件制造而成，具有多功能、方便升级的特点。

Ø 多用途等离子工艺包，不受工艺记忆影响。

 GMPS-17-MC多功能等离子系统：

Ø 特别为研发实验室的需要设计制造；

Ø 多真空处理腔体，满足不同处理工艺或化学需要；

Ø 可配置用于反应离子蚀刻RIE、 电子回旋共振（ECR） ECR 或等离子增强化学气相沉积PECVD 应用需要；

Ø 可定制用于特别工艺处理需要；

Ø 提供广泛的控制及监控分析配置；

Ø 真空泵浦及电源公用，可减少投入；

Ø 广泛用于世界范上的大学及公司的研发实验室；

GMPS-PL多腔体等离子系统技术规格

多功能的多腔体等离子系统设备用于*zui苛刻的等离子工艺处理

GMPS-PL多腔体等离子系统是一款革命性的的GMPS模块化等离子处理系统。鉴于众多的GMPS用户已经从研发阶段步入生产领域，用户需要一款等离子处理产量更高的系统工具，我们选装200 或 300mm转移平台作为该多腔体等离子系统的核心部件。根据等离子工艺处理需要，该平台运行选择多大三款标准模块化部件。在合理的费用预算前提下，GMPS-PL多腔体等离子系统提供了一款定制的多腔体处理设备。

Ø 多真空处理腔体，满足不同处理工艺或化学需要；

Ø 可配置用于反应离子蚀刻RIE、 电子回旋共振（ECR） ECR 或等离子增强化学气相沉积PECVD 应用需要；

Ø 在不破坏真空舱内真空的情况下，提供多层工艺处理需要；

Ø 蚀刻金属, poly, Si trench, refractory silicides, SiO2, SiNx, TiW, GaAs, resist, ILD and polyimide, III-V features, GaAs backside vias, micromachining （MEMS）, photonics, or HTSC's 

Ø 可沉积 SiO2, SiNx, Amorphous Si, Oxynitride 及 carbon films, 或低温钝化、ILD薄膜用于III-V 及HTSC化合物

Ø 可选配300mm料盒装载平台；

Ø 特别适用于腐蚀性及危险化学工艺处理；

Ø 消除水蒸气及其它污染物；

Ø 可处理任何尺寸或形状的基片/晶圆片zui大可达300mm，包括平板或是定制封装；

Ø 方便使用、维护简单；

Ø 安全、坚固设计包装可靠性高及可观的正常运行时间；

如果您对GMPS系列等离子系统感兴趣，请索取更详尽资料！
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