FZ1200R12KE3是什么？FZ1200R12KE3是IGBT模块/可控硅？属于IGBT功率模块/IGBT智能模块，源产于德国西门子（SIEMENS）、英飞凌(Infineon)、优派克（eupec）

韦德 ：0755-3281 1887/ 

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注：西门子（SIEMENS）、英飞凌(Infineon)、优派克（eupec）同属于西门子及子母公司。

哪有*？质量怎么样？价格好吗？

infineon模块/英飞凌IGBT/英飞凌二极管/英飞凌可控硅/英飞凌整流桥

>>1600/1700V > 单管(1单元)

产品型号 参数说明

FZ800R16KF4 800A , 1600V , IGBT2

FZ1200R16KF4 1200A , 1600V , IGBT2

FZ1800R16KF4 1800A , 1600V , IGBT2

BSM200GA170DLC 200A , 1700V , IGBT2

BSM300GA170DLC 300A , 1700V , IGBT2

BSM300GA170DN2 300A , 1700V , IGBT2

BSM400GA170DLC 400A , 1700V , IGBT2

FZ400R17KE3 400A , 1700V , IGBT3

FZ400R17KE4 400A , 1700V , IGBT4

FZ600R17KE3 600A , 1700V , IGBT3

FZ600R17KE3_S4 600A , 1700V , IGBT3

FZ600R17KE4 600A , 1700V , IGBT4

FZ800R17KF6C_B2 800A , 1700V , IGBT2

FZ1200R17KE3_B2 1200A , 1700V , IGBT3

FZ1200R17KE3 1200A , 1700V , IGBT3

FZ1200R17KF6C_B2 1200A , 1700V , IGBT2

FZ1200R17HP4_B2 1200A , 1700V , IGBT4

FZ1200R17HP4 1200A , 1700V , IGBT4

FZ1600R17KE3_B2 1600A , 1700V , IGBT3

FZ1600R17KE3 1600A , 1700V , IGBT3

FZ1600R17KF6C_B2 1600A , 1700V , IGBT2

FZ1600R17HP4_B2 1600A , 1700V , IGBT4

FZ1600R17HP4 1600A , 1700V , IGBT4

FZ1800R17KE3_B2 1800A , 1700V , IGBT3

FZ1800R17HP4_B9 1800A , 1700V , IGBT4

FZ1800R17HP4_B29 1800A , 1700V , IGBT4

FZ2400R17KE3 2400A , 1700V , IGBT3

FZ2400R17KE3_B2 2400A , 1700V , IGBT3

FZ2400R17KE3_B9 2400A , 1700V , IGBT3

FZ2400R17KF6C_B2 2400A , 1700V , IGBT2

FZ2400R17HP4 2400A , 1700V , IGBT4

FZ2400R17HP4_B2 2400A , 1700V , IGBT4

FZ2400R17HP4_B9 2400A , 1700V , IGBT4

FZ2400R17HP4_B29 2400A , 1700V , IGBT4

FZ3600R17KE3 3600A , 1700V , IGBT3

FZ3600R17HP4_B2 3600A , 1700V , IGBT4

FZ3600R17HP4 3600A , 1700V , IGBT4

> 半桥(2单元) 产品型号 参数说明

FF400R16KF4 400A , 1600V , IGBT2

BSM50GB170DN2 50A , 1700V , IGBT2

BSM75GB170DN2 75A , 1700V , IGBT2

BSM100GB170DLC 100A , 1700V , IGBT2

BSM100GB170DN2 100A , 1700V , IGBT2

BSM150GB170DLC 150A , 1700V , IGBT2

BSM150GB170DN2 150A , 1700V , IGBT2

FF150R17KE4 150A , 1700V , IGBT4

FF150R17ME3G 150A , 1700V , IGBT3

BSM200GB170DLC 200A , 1700V , IGBT2

FF200R17KE3 200A , 1700V , IGBT3

FF200R17KE4 200A , 1700V , IGBT4

FF225R17ME3 225A , 1700V , IGBT3

FF225R17ME4_B11 225A , 1700V , IGBT4

FF225R17ME4 225A , 1700V , IGBT4

FF300R17KE3 300A , 1700V , IGBT3

FF300R17KE4 300A , 1700V , IGBT4

FF300R17ME3 300A , 1700V , IGBT3

FF300R17ME4_B11 300A , 1700V , IGBT4

FF300R17ME4 300A , 1700V , IGBT4

FF400R17KF6C_B2 400A , 1700V , IGBT2

FF401R17KF6C_B2 401A , 1700V , IGBT2

FF450R17ME3 450A , 1700V , IGBT3

FF450R17ME4_B11 450A , 1700V , IGBT4

FF450R17ME4 450A , 1700V , IGBT4

FF450R17IE4 450A , 1700V , IGBT4

FF600R17ME4_B11 600A , 1700V , IGBT4

FF600R17ME4 600A , 1700V , IGBT4

FF600R17KE3_B2 600A , 1700V , IGBT3

FF600R17KE3 600A , 1700V , IGBT3

FF600R17KF6C_B2 600A , 1700V , IGBT2

FF650R17IE4 650A , 1700V , IGBT4

FF650R17IE4D_B2 650A , 1700V , IGBT4

FF800R17KE3_B2 800A , 1700V , IGBT3

FF800R17KE3 800A , 1700V , IGBT3

FF800R17KF6C_B2 800A , 1700V , IGBT2

FF800R17KP4_B2 800A , 1700V , IGBT4

FF1000R17IE4 1000A , 1700V , IGBT4

FF1000R17IE4D_B2 1000A , 1700V , IGBT4

FF1200R17KE3_B2 1200A , 1700V , IGBT3

FF1200R17KE3 1200A , 1700V , IGBT3

FF1200R17KP4_B2 1200A , 1700V , IGBT4

FF1400R17IP4 1400A , 1700V , IGBT4

> 三相桥(6单元)

产品型号 参数说明

FS50R17KE3_B17 50A , 1700V , IGBT3

FS75R17KE3 75A , 1700V , IGBT3

FS100R17KE3 100A , 1700V , IGBT3

FS100R17KS4F 100A , 1700V , IGBT2

FS100R17PE4 100A , 1700V , IGBT4

FS150R17KE3G 150A , 1700V , IGBT3

FS150R17PE4 150A , 1700V , IGBT4

FS225R17KE3 225A , 1700V , IGBT3

FS225R17KE4 225A , 1700V , IGBT4

FS225R17OE4 225A , 1700V , IGBT4

FS300R17KE3 300A , 1700V , IGBT3

FS300R17KE4 300A , 1700V , IGBT4

FS300R17OE4 300A , 1700V , IGBT4

FS450R17KE3 450A , 1700V , IGBT3

FS450R17KE4 450A , 1700V , IGBT4

FS450R17OE4 450A , 1700V , IGBT4

infineon , eupec ,

Eupec IGBT,SIEMENS ,

SIEMENS IGBT,infineon IGBT, 

注：是什么？是IGBT模块/可控硅？

【本文来源】：迈瑞斯

【本文作者】：迈瑞斯

【关键字】：，infineon , eupec ，SIEMENS ，可控硅。

infineon IGBT单管,EUPEC IGBT单管, 英飞陵IGBT单管, EUPEC IGBT单管,电磁炉用IGBT,IKP IGBT,IHW：

高频600V硬开关频率fK≤150KHZ；

快速1200V硬开关频率fK≤50KHZ；

低饱和压降600V硬开关频率fK≤50KHZ；

低饱和压降1200V硬开关频率fK≤20KHZ；

电子镇流器IGBT单管；

逆导型（RC）IGBT，适于电磁炉、微波炉、电饭锅、以及软开关、谐振回路；

Infineon公司推出冷mos管，它采用“超级结”(Super-Junction)结构，故又称超结功率MOSFET。工作电压600V～800V，通态电阻几乎降低了一个数量级，仍保持开关速度快的特点，是一种有发展前途的高频功率半导体电子器件。

　　IGBT刚出现时，电压、电流额定值只有600V、25A。很长一段时间内，耐压水平限于1200V～1700V，经过长时间的探索研究和改进，现在IGBT的电压、电流额定值已分别达到3300V/1200A和4500V/1800A，高压IGBT单片耐压已达到6500V，一般IGBT的工作频率上限为20kHz～40kHz，基于穿通(PT)型结构应用新技术制造的IGBT，可工作于150kHz(硬开关)和300kHz(软开关)。

　　IGBT的技术进展实际上是通态压降，快速开关和高耐压能力三者的折中。随着工艺和结构形式的不同，IGBT在20年历史发展进程中，有以下几种类型：穿通(PT)型、非穿通(NPT)型、软穿通(SPT)型、沟漕型和电场截止(FS)型。

碳化硅Sic是功率半导体器件晶片的理想材料，其优点是：禁带宽、工作温度高(可达600℃)、热稳定性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流极小、PN结耐压高等，有利于制造出耐高温的高频大功率半导体电子元器件。

　　可以预见，碳化硅将是21世纪zui可能成功应用的新型功率半导体器件材料。

专业功率IGBT模块代理/批发:.西门子、英飞凌、EUPEC、三菱、富士、东芝、三社、三垦、西门康、ST、IR,IXYS,日立等品牌，以及进口变频器PLC。

■  IGBT模块、IGBT单管、IGBT驱动

● 富 士: IGBT模块、IPM、PIM(600V-3300V)

● 艾赛斯:  半桥、全桥、三相桥、整流桥(660V-1700V)

● 三 菱:  IGBT模块、PIM、焊机模块(600V-2500V)

● 英飞凌(EUPEC):  IGBT功率模块、单管IGBT、1单元、2单元、6单元(600V-6500V)

■ ＩＣ　二三极管　单片机系列偏冷门型号、*级IC;

■ 瑞士LEM霍尔传感器、电流传感器、电压传感器；