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Flex One 北京 显微光致发光 光谱仪
- 型号
- Flex One
北京卓立汉光仪器有限公司是一家集光学、精密机械、电子、计算机技术于一体的高*技术企业。卓立汉光自1999年起，通过数年的不断努力，成长为光电仪器厂商之一。目前公司的电控位移台、手动位移台、光学调整架等产品已经形成产品系列化,规格多元化，国内多家科研单位、激光加工设备厂商、光纤设备厂商在使用我们的产品。2000年推出我司套量产型三光栅光谱仪后，不断推出了多套荧光、拉曼、光电探测器光谱响应、太阳能电池检测等光谱测量系统，广泛应用在众多高校和科研院所的研究与试验,为国家科技创新贡献了一份力量，产品凭借优良的品质远销欧美、东南亚等海外市场。 2005年10月在同行业中通过ISO9001质量管理体系SGS认证。2010年取得国家高*技术企业认定,2016年卓立汉光技术中心顺利通过市级技术中心评审。
卓立汉光主要生产经营：荧光/拉曼光谱系统、各类光谱测量系统、太阳能电池检测仪器、光栅光谱仪、各类型光源及探测器、电控精密位移台、手动精密位移台、光学调整架、光学平台、光学元件等系列产品。
我们诚心聆听用户的需要与批评，作为不断改进的动力，能让您满意卓立汉光的产品及服务，就是我们的成就。因此我们以卓立汉光的光机产品提供 “终身保固”的承诺,来表达我们对产品的信心。
我们坚持从设计、零件选型、制造、装配、检验、包装、运输、直到售后服务做好*质量保证，就是要让您 “付有所值”，以合理的价位得到优质的产品，这是我们对您选择卓立汉光真诚的回报。
卓立汉光始终以满足用户需求为宗旨，分别于上海、深圳、成都、西安设立分公司，为用户提供及时周到的销售与技术服务。“研发创新、快速反应、优质服务” 是我们的经营理念， 公司长期重视优质高效、短时间为客户开发产品及提供技术支持。卓立汉光真诚地希望与国内外同仁携手合作，为推动我国光电产业迅猛发展做出贡献。
详细信息
Flex One 显微光致发光光谱仪
| ● 一体化的光学调校 ——所有光学元件只需要在初次安装时 进行调校，确保高效性和易用性 ● 简单易用的双光路设计 ——可随意在水平和垂直光路上进行切 换，适用于各种常见的样品形态 ● 超宽光谱范围** ——300nm-2200nm ● 视频监视光路 ——可供调整测试点 ● *的发射光谱校正功能* ——让光谱测量更精准且具有可比性 | ● 多种激发波长可选** ——325nm，405nm，442nm， 473nm，532nm，633nm，785nm等 ● 自动mapping功能可选* ——50mm×50mm测量区间，可定制 特殊规格 ● 电致发光(EL)功能可选* ——扩展选项 ● 显微拉曼光谱测量功能可选* ——扩展选项 ● 超低温测量附件可选* ——提供10K以下的超低温测量 |
| *选配项，请详细咨询； **需根据实际需要进行配置确定。 |
产品简介：
光致发光(photoluminescence) 即PL，是用紫外、可见或红外辐射激发发光材料而产生的发光，在半导体材料的发光特性测量应用中通常是用激光（波长如325nm、532nm、785nm 等）激发材料（如GaN、ZnO、GaAs 等）产生荧光，通过对其荧光光谱（即PL 谱）的测量，分析该材料的光学特性，如禁带宽度等。光致发光可以提供有关材料的结构、成分及环境原子排列的信息，是一种非破坏性的、高灵敏度的分析方法，因而在物理学、材料科学、化学及分子生物学等相关领域被广泛应用。传统的显微光致发光光谱仪都是采用标准的显微镜与荧光光谱仪的结合，但是传统的显微镜在材料的PL 谱测量中，存在很大的局限性，比如无法灵活的选择实验所需的激光器（特别对于UV 波段的激光器，没有足够适用的配件），无法方便的与超低温制冷机配合使用，采用光纤作为光收集装置时耦合效率太低等等问题，都是采用标准显微镜难以回避的问题。
北京卓立汉光仪器有限公司结合了公司十余年荧光光谱仪和光谱系统的设计经验和普遍用户的实际需求，推出了“Flex One( 微光）”系列显微光致发光光谱仪，有效的解决了上述问题，是目前市场上 具性价比的的显微PL 光谱测量的解决方案。
( 产品图片仅供参考，以实际系统配置为准)
系统组成
● 激发光源部分：紫外-近红外波段各种波长激光器
● 显微光路部分：优化设计的专用型显微光路
● 光谱采集部分：影像校正光谱和高灵敏型科学级CCD或单点探测器和数据采集器
● 样品台支架部分：xyz三维可调样品台（手动或自动）、超低温样品台
参数规格表：
| 主型号 | Flex One | |||
|---|---|---|---|---|
| 光谱范围 | 300-2200nm | |||
| 光谱分辨率 | 0.1nm | |||
| 激发光可选波长 | 325nm，405nm，442nm，473nm，532nm，633nm，785nm等 | |||
| 探测器 | 类型 | 制冷型CCD 2000×256 | 制冷型InGaAs 512×1 | 制冷型InGaAs 512×1 |
| 有效范围 | 300-1000nm | 800-1700nm | 800nm-2200nm | |
| 空间分辨率 | <100μm | |||
| 注*：以上为基本规格，详细规格依据不同配置的选择会有差异 | ||||
1. 光致发光(PL)光谱测量
分别针对材料的正( 红色) 和负( 绿色) 测试得到光致发光光谱曲线如下，GaN 的本征发光峰365nm 附近以及黄带，InGaN 的发光峰475nm 附近。
2. 电致发光(EL)光谱测量
将材料的正负接到直流电源的正负，电压加到2.5V 时可以有明显的蓝光发射，测量其电致发光光谱曲线如下（红色），峰值在475nm 附近。
● 样品提供：KingAbdullahUniversity ofScience and Technology提供的基于蓝宝石衬底MOCVD 生长的 InGaNGaN 量子阱
● 测试条件：325nm激发，功率30mW
● 光谱范围：340-700nm
