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SVT-35等 美国SVT公司MBE分子束外延系统
- 型号
- SVT-35等
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北京中精仪科技有限公司是一家致力于提供先进的科研生产测试仪器及相关技术咨询服务的科技企业, 公司由来自美国的相关领域资深专家成立, 公司总部设在美国加州硅谷地区。
公司多年来秉承着“精益求精”的经营理念，为中国高等院校、科研机构、生产企业配备了大量先进的专业仪器。提供了高水平、专业化的技术产品及高质量的售后服务。
公司销售的产品涉及到：
（1）材料力学试验机：摩擦磨损试验机，耐磨试验机，真空试验机，电化学腐蚀试验机，疲劳试验机，弯曲扭转试验机，微纳划痕仪、压痕仪，高温微米压痕仪等。
（2）材料表面分析 ：三维形貌仪，白光干涉仪，激光共聚焦显微镜，原子力显微镜等。
（3）半导体设备/CMP ：原子层沉积系统（ALD），MBE分子束外延系统，激光脉冲沉积(PLD)，物理气相沉积系统（PVD），化学机械抛光设备（CMP）等。
（4）生化仪器：激光拉曼光谱仪等
（5）扭矩测试：多功能扭矩测试仪，电机扭矩测试仪，轴承扭矩测试仪等。
详细信息
美国SVT公司MBE分子束外延系统
美国SVT公司是世界MBE供应商，具有20年的MBE设备制造经验。数位核心工程师拥有25年以上的MBE经验。
占据美国主要科研市场的SVT分子束外延系统，以其专业化的超高真空技术和薄膜生长技术搏得了广大客户的青睐。
SVT公司拥有独立的应用实验室，可以为客户提供完善的工艺技术服务。和客户之间建立共同研发及合作的技术平台。
SVT公司建立完善的售后服务体系。在北京、香港、美国总部都有服务工程师。
| 型号 | 应用 | 样品尺寸 |
35-4 | III-V, 或其他化合物半导 | 4’’ |
35-N | 氮化物半导体 | 4’’或3X2’’ |
35-6 | III-V或II-VI 或其他化合物半导体 | 4’’, 6’’或多片2’’ |
35-G-4 | III-V化合物，SiGe | 4’’ |
SM-6 | Si，Ge，金属 | 4’’或6’’ |
S-8 | Si，Ge，介质材料 | 8’’可配集成腔室 |
SVT-V | 化合物半导体，氮化物，氧化物，铁磁材料 | 2’’或3’’ |
35-D | 双生长腔室，III-V或II-VI 或其他化合物半导体，铁磁材料 | 3’’或4’’ |
35-V | CIGS | 3’’或4’’ |
NanoFab | II-V，II-VI，II-氧化物，III-氮化物以及其他材料 | 1’’或2’’ |
UVD-02 | 氧化物或其他介质材料 | 4’’, 可配有液态源 |
PLD-02 | 氧化物半导体、高温超导材料、光学晶体材料、电光学薄膜、铁电以及铁磁材料等 | 4’’, 激光/电子束沉积 |
35V14 | 化合物半导体，氮化物，氧化物，铁磁材料 | 14’’或多个小尺寸 |
SVT MBE系统是模块化设计，主要包括装载室模块，预备或分析室模块，主生长室模块。可配10个源，线性移动挡板。每个模块都有独立的抽气系统。模块间有闸板阀相互隔离，互不影响。
Model 35-6 AlGaAs（或其他半导体材料）研究和生产型设备，样品尺寸可达6英寸。
可容纳10个cell。
真空度< 1×10-10Torr。
可配普通束流源、裂解源、RF源、电子束蒸发源。
Model 35-N-V 标准4''衬底MBE平台，用于生长高质量的氮化物半导体材料。
可容纳10个cell。
真空度< 1×10-10Torr。
设计考虑了严格的活性氮环境并配有高温衬底加热器。
氮源的种类包括RF氮源和氨气入射源。
26-O-V 氧化物MBE系统具有弹性配置。
真空度< 1×10-10Torr。
此多元化MBE平台可以生长研究各种氧化物材料。
该系统可以配备多坩埚电子束蒸发源以及10个热蒸发源或等离子源等。
氧化物MBE还包括：26-O-C紧凑型氧化物MBE、26-O-6大样品氧化物MBE等各种型号。
Model SM-6 SiGe系统用于生长高质量的Si/Ge及相关化合物。
真空度< 1×10-10Torr。
可容纳9个普通源及1个电子束蒸发源，或6个普通源及2个电子束蒸发源。
美国SVT公司MBE分子束外延系统集成了电子束蒸发和热源蒸发两种沉积技术，并通过传感器反馈控制技术实现薄膜制备的高度再现性。
