1. 产品概述

分子束外延薄膜沉积系统MBE 是在超高真空系统中把所需要的结晶材料放入到喷射炉中，将喷射炉加热。使结晶材料形成分子束，从炉中喷出后，沉积在高温的单晶基片上。如果设置几个喷射炉，就可以制取多元半导体混晶，又可以同时进行掺杂。可以精确地控制结晶生长，进行沉积系统中结晶生长过程的研究。

2. 设备特点

分子束外延，是在超高真空系统中把所需要的结晶材料放入到喷射炉中，将喷射炉加热。使结晶材料形成分子束，从炉中喷出后，沉积在温度保持在100°以上的单晶基片上。如果设置几个喷射炉，就可以制取多元半导体混晶，又可以同时进行掺杂。可以精确地控制结晶生长，进行沉积系统中结晶生长过程的研究。

12个源炉：镓、铟、铝、砷、锑、磷、铋、硅、镁、掺杂等；

衬底：大4inch ；

高温度：1000°C 温度均匀性：≤±3°C（4inch）；

超高真空下全自动样品转移；

用于过程控制和分析的所有现代现场监控功能；

一个集群上多7个超高真空功能单元：装载、储存、翻转、处理、排气、生长，外部腔室；

可连接其他分析设备或其他：ALD、PLD、PVD、金属化、STM。