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n型有机半导体材料
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详细信息
n型有机半导体材料
PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI
本产品为n型有机半导体材料，其具有优异的大气稳定性和电子迁移速度。
n型有机半导体材料PhCn-BQQDI，无论采用真空沉积法，还是涂布法，均可形成再现性良好的成膜，但C2体（n=2）适合涂布法，而C3体（n=3）适合气相沉积法。
◆基本信息
PhC2-BQQDI | PhC3-BQQDI | |
名称 | benzo[de]isoquinolino[1,8-gh]quinoline diimide（BQQDI）在骨架的亚胺基的氮原 子上连有苯乙基（-C2H4Ph）。 | benzo[de]isoquinolino[1,8-gh]quinoline diimide（BQQDI）在骨架的亚胺基团的氮 原子上连有苯丙基（-C3H6Ph）。 |
结构式 |
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实物图 |
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包装 | 氩气填充 | |
外观 | 红色~红棕色，结晶性粉末~粉末 | |
◆特点
可用于气相沉积法和涂布法的高性能n型有机半导体材料。
■ 高迁移性
· 涂布结晶形成的单晶在大气中的电子迁移速度为3 cm2/Vs
· 真空蒸镀膜在大气中的电子迁移速度超过0.6 cm2/Vs
■ 高稳定性
· 可在大气中长期保持稳定，不受器件结构的影响
· 单晶有机薄膜晶体管（OFET）可维持半年以上，蒸镀法OFET可维持一个月以上
· 迁移性降低率小于10%
■ 高耐性（PhC2-BQQDI）
· 在单晶OFET中，选择任意基板，都具有超过150°C的高耐热应力
· 良好的偏压应力
◆数据
①PhC2-BQQDI
LUMO能级估算、大气·热稳定性评估
● 通过循环伏安法（Cyclic Voltammetry，简称CV），估计LUMO为−4.11 eV（4-Hep-BQQDI具有优异的溶解性）
● 通过热重-差热分析法（Thermogravimetry−Differential Thermal Analysis，简称TG−DTA），在421 °C下未观察到
分解或相变的热异常
● 大气储存下采用气相沉积法形成的100 nm薄膜在1个月内的紫外-可见光（UV-Vis）光谱无变化。
团聚体结构
呈砖砌型团聚体结构，能够观察到相邻BQQDI骨架之间的多分子相互作用，并可实现二维电荷传输。
PhC2-BQQDI的单晶OFET
元件结构 | 大气下的输出特性 |
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②PhC3-BQQDI
PhC3-BQQDI单晶结构与LUMO之间的转移积分。
评估大气中真空气相沉积OTFT特性（通道长/宽=100 µm/1000 µm）
（a）OTFT结构图
（b）PhC2-BQQDI和（c）PhC3-BQQDI在饱和区随基板温度变化的传输特性（漏极电压：50 V）
蓝线：室温、绿线：100°C、红线：180°C
（d）PhC2-BQQDI及（e）PhC3-BQQDI的迁移速度在大气中的经时变化
③PhC2-BQQDI与PhC3-BQQDI
化合物 | 基板温度 | 平均（最大）迁移速度 （cm2 V-1S-1）† | 平均阈值电压 （V）† | 接触电阻 （kΩ cm）‡ |
PhC2-BQQDI | 室温 | 0.29（0.30） | 4.6 | 4.8±0.6 |
100°C | 0.54（0.54） | 3.3 | 5.8±0.5 | |
180°C | 0.64（0.65） | 3.5 | 4.7±0.4 | |
PhC3-BQQDI | 室温 | 0.32（0.33） | 3.2 | 1.7±0.3 |
100°C | 0.51（0.53） | 1.4 | 4.3±0.6 | |
180°C | 0.65（0.70） | 2.5 | 3.2±0.5 |
†：在饱和区（漏极电压=50 V）时评估
‡：栅极电压=50 V时的估算值
| 产品编号 | 产品名称 | 产品规格 |
| 165-28601 | PhC2-BQQDI | 100 mg |
| 166-28871 | PhC3-BQQDI | 100 mg |
