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IM4000日立高新离子研磨装置

型号
上海西努光学科技有限公司

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西努光学秉承“以光学为核心,为客户提供解决方案”的经验思路,经过16年的努力,成为众多企业、高校科研单位提供各种专业化的光学系统解决方案。并于2012 年导入SAP 管理系统,通过系统资源整合,为客户提供更优质、快捷的专业化服务。
2016 年,我们积极引进检测设备的同时导入制样等配套设备以丰富我们实验室平台,以更好的为客户提供现场体验,从微米到纳米满足客户从制样到结果分析的一站式体验服务。

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详细信息

使用切片方式制备像纸张、纤维等软材料截面样品,容易使样品变形错位;机械抛光处理的样品表面经常也会留下划痕、污染和表面应力,对样品的形貌观察和结构分析带来不利影响。日立新推出的IM4000离子研磨仪既可以对样品进行氩离子截面切割,可以进行氩离子平面研磨,是截面样品制备和平面样品无应力抛光的理想工具。IM4000日立高新离子研磨装置

日立高新离子研磨装置IM4000具有断面加工和平面研磨功能的混合仪器!

日立高新离子研磨装置IM4000的混合模式带有两种研磨配置:

断面加工:将样品断面研磨光滑,便于表面以下结构高分辨成像。

平面研磨:将样品表面均匀研磨5平方毫米,从不同角度有选择地研磨,以便突出样品的表面特性。

日立高新离子研磨装置IM4000的高通量能提高加工效率:

与之前的E-3500型相比,采用新型离子枪设计,减少了横截面研磨时间。(zui大加工率:硅元素为300微米/小时 — 加工时间减少了66%。

日立高新离子研磨装置IM4000的可拆卸样品台装置:为便于样品设置和定义研磨边缘,可将样品台装置拆卸。

特点  IM4000日立高新离子研磨装置

混合模式:两种研磨配置

断面加工:将样品断面研磨光滑,便于表面高分辨观察

平面研磨:不同角度有选择地,大面积,均匀地研磨5 mm的平面,以突显样品的表面特性

高效:提高加工效率

与之前的E-3500型相比,采用新型离子枪设计,减少了横截面研磨时间

(zui大加工速度:硅材质为300 μm/h - 加工时间减少了66%)

可拆卸式样品台:

为便于样品设置和边缘研磨,样品台设计为可拆卸型  

項目内容
平面研磨截面研磨
使用气体氩气
加速电压0 ~ 6 kV
zui大加工速率(材料Si)

约20 m/h*1

约2 m/h*2

约300 m/h*3
zui大样品尺寸φ50×25(H)mm20(W)×12(D)×7(H)mm
样品移动范围X : 0 ~ +5 mmX :±7 mm、Y : 0 ~ +3 mm
旋转速度1 r/min、 25 r/min-
摆动角度±60°、±90°±15°、±30°、±40°
倾斜角度0~90°-
氩气(Ar)流量控制方式质量流量计(Mass Flow Controller)
真空系统涡轮分子泵(33 L/s)+机械泵(135 L/min(50 Hz)、162 L/min(60 Hz))
装置尺寸616(W)×705(D)×312(H)mm
重量主机48 kg+机械泵28 kg
 选配
加工观测用显微镜倍率 :15× ~ 100× 双目型、三目型(可加装CCD)
真空转移盒单元旋盖式(O形圈密封)密闭样品,样品仓内打开旋盖
冷却系统*4使用液氮间接冷却样品 ;冷却Mask温度 :-30℃以下*5 ;配有恢复到室温的控制器

*1 :照射角 0° 偏心量 0 mm *2 :照射角 60° 偏心量 4 mm  *3 :Si片突出遮挡板(Mask)边缘100 m加工时的zui大深度  *4 :不能后装,需出厂时配置  *5 :加入液氮30分钟后遮挡板(Mask)的温度

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