日立SU9000超高分辨率场发射扫描电子显微镜是专门为电子束敏感样品和需大300万倍稳定观察的*半导体器件，高分辨成像所设计。

• 新的电子枪和电子光学设计提高了低加速电压性能。

  • 0.4nm / 30kV（SE）

  • 1.2nm / 1kV（SE）

  • 0.34nm / 30kV（STEM）

• 用改良的高真空性能和的电子束稳定性来实现高效率截面观察。

• 日立SU9000超高分辨率场发射扫描电子显微镜采用全新设计的Super E x B能量过滤技术，高效，灵活地收集SE / BSE/ STEM信号。

• 低加速电压观察时分辨率更高，可更好地观察样品表面的细微形状和更有效地降低样品的损坏

• 全新设计的电子光学系统和信号处理技术实现了高速扫描和低噪音的观察

• 和以前的常规扫描电子显微镜相比^＊2，自动功能缩短^＊3了大约11秒

• 具有在低真空时可以非常好地观察样品表面的细微形状的“UVD（超高灵敏度可变压力探测器）”^＊4

• 具有实现了实时立体成像的“实时立体观察功能”^＊4

^（*2）：和日立SEM S-3400N相比
^（*3）：根据观察条件的不同，时间会有变动