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EVG610-单面、双面光刻系统

型号
参数
产地类别:国产 应用领域:化工
岱美仪器技术服务(上海)有限公司

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EVG620 NT-掩模对准光刻机系统

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膜厚仪,轮廓仪,EVG键合机,EVG光刻机,HERZ隔震台,Microsense电容式位移传感器

岱美仪器技术服务(上海)有限公司(Dymek Company Ltd ,下面简称岱美)成立于1989年,是一间拥有多年经验的高科技设备分销商,主要为数据存储、半导体、光通讯、高校及研发中心提供各类测量设备、工序设备以及相应的技术支持,并与一些重要的客户建立了长期合作的关系。自1989年创立至今,岱美的产品以及各类服务、解决方案广泛地运用于中国香港,中国大陆(上海、东莞、北京),中国台湾,泰国,菲律宾,马来西亚,越南及新加坡等地区。


岱美在中国大陆地区主要销售或提供技术支持的产品:

晶圆键合机、纳米压印设备、紫外光刻机、涂胶显影机、硅片清洗机、超薄晶圆处理设备、光学三维轮廓仪、硅穿孔TSV量测、非接触式光学三坐标测量仪、薄膜厚度检测仪、主动及被动式防震台系统、应力检测仪、电容式位移传感器、定心仪等。


岱美重要合作伙伴包括有:

Thetametrisis, EVG, FSM, Opto-Alignment, Herz, PLSINTEC, Film Sense, Reditech, Lazin, Delcom, Microsense, Shb, boffotto, RTEC, Kosaka, Nanotronics, MTInc, 4D, Daeil, Microphysics,

n&k Technology, First Nano, Schmitt, LESCO, Otsuka, STI, Kurashiki, Ryokosha, SURAGUS, Westbond...


如有需要,请联系我们,了解我们如何开始与您之间的合作,实现您的企业或者组织机构长期发展的目标。




详细信息

  EVG610-单面、双面光刻系统是一款紧凑型多功能研发系统,可处理零碎片和大200 mm的晶圆。
  一、简介
  EVG光刻机EVG610支持各种标准光刻工艺,如真空,硬,软接触和接近式曝光模式,可选择背部对准方式。此外,该系统还提供其他功能,包括键合对准和纳米压印光刻(NIL)。EVG610提供快速处理和重新加工,以满足不断变化的用户需求,转换时间不到几分钟。其先进的多用户概念适合初学者到专家级各个阶层用户,非常适合大学和研发应用。
  EVG610-单面、双面光刻系统
  二、EVG光刻机应用
  MEMS,RF器件,功率器件,化合物半导体等方面的图形光刻应用。
  三、EVG光刻机特征
  晶圆/基片尺寸从零碎片到200毫米/ 8英寸
  顶部和底部对准功能
  高精度对准
  自动楔形补偿序列
  电动的和程序控制的曝光间隙
  支持新的UV-LED技术
  小化系统占地面积和设施要求
  分步流程指引
  远程技术支持
  多用户概念(无限数量的用户帐户和程序,可分配的访问权限,不同语言)
  敏捷的处理和转换重新加工
  台式或独立式带防振花岗岩台面
  附加功能:
  键合对准
  红外对准
  纳米压印光刻(NIL)
  四、技术参数
  1.掩模版-基板-晶圆尺寸
  掩模版尺寸:5寸/7寸/9寸
  基片/晶圆尺寸:100mm/150mm/200mm
  晶圆厚度:高达10mm
  2.对准模式
  顶部对准精度:≤ ± 0,5 µm
  底部对准精度:≤ ± 2,0 µm
  红外对准模式:≤ ± 2,0 µm/取决于基片的材料
  3.顶部显微镜
  移动范围1:100mm(X轴:32-100mm;Y轴:-50/+30mm;)
  移动范围2:150mm(X轴:32-150mm;Y轴:-75/+30mm;)
  移动范围1:200mm(X轴:32-200mm;Y轴:-100/+30mm;)
  可选:平坦的物镜可以增加光程;带有环形灯的暗场物镜,可以增加对比度
  4.底部显微镜
  移动范围1:100mm(X轴:30-100mm;Y轴:±12mm;)
  移动范围2:150mm(X轴:30-100mm;Y轴:±12mm;)
  移动范围1:200mm(X轴:30-100mm;Y轴:±12mm;)
  可选:平坦的物镜可以增加光程;带有环形灯的暗场物镜,可以增加对比度
  5.曝光器件
  (1)波长范围:
  NUV:350 - 450 nm
  DUV:低至200 nm (可选)
  (2)光源:
  汞灯350W , 500W UV LED灯
  (3)均匀性:
  150mm:≤ 3%
  200mm:≤ 4%
  (4)滤光片:
  汞灯:机械式
  UV LED:软件可调
  6.曝光模式
  接触:硬、软接触,真空
  曝光间隙:1 - 1000 µm
  线宽精度:1µm
  模式:CP(Hg/LED)、CD(Hg/LED)、 CT(Hg/LED) 、CI(LED)
  可选:内部,浸入,扇形
  7.可选功能
  键合对准精度:≤ ± 2,0 µm
  纳米压抑光刻(NIL)精度:≤ ± 2,0 µm
  纳米压抑光刻(NIL)软印章分辨率:≤ 50 nm图形分辨率
  8.设施
  真空:< 150 mbar
  压缩气体:6 bar
  氮气:可选2或者6 bar
  排气要求:汞灯需要;LED不需要
  9.系统方式
  系统:windows
  文件分享和软件备份
  无限程序储存,参数储存在程序内
  支持多语言,含中文
  实时远程支持,诊断和排除故障
  10.楔形补偿
  全自动- 软件控制
  11.规格
  占地面积:0.55m²
  高度:1.01m
  重量:约250kg
  纳米压印分辨率:≤ 40 nm(取决于模板和工艺)
  支持工艺:Soft UV-NIL


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产地类别 国产
应用领域 化工
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