EVG610-单面、双面光刻系统是一款紧凑型多功能研发系统,可处理零碎片和大200 mm的晶圆。
一、简介
EVG光刻机EVG610支持各种标准光刻工艺,如真空,硬,软接触和接近式曝光模式,可选择背部对准方式。此外,该系统还提供其他功能,包括键合对准和纳米压印光刻(NIL)。EVG610提供快速处理和重新加工,以满足不断变化的用户需求,转换时间不到几分钟。其先进的多用户概念适合初学者到专家级各个阶层用户,非常适合大学和研发应用。
EVG610-单面、双面光刻系统
二、EVG光刻机应用
MEMS,RF器件,功率器件,化合物半导体等方面的图形光刻应用。
三、EVG光刻机特征
晶圆/基片尺寸从零碎片到200毫米/ 8英寸
顶部和底部对准功能
高精度对准
自动楔形补偿序列
电动的和程序控制的曝光间隙
支持新的UV-LED技术
小化系统占地面积和设施要求
分步流程指引
远程技术支持
多用户概念(无限数量的用户帐户和程序,可分配的访问权限,不同语言)
敏捷的处理和转换重新加工
台式或独立式带防振花岗岩台面
附加功能:
键合对准
红外对准
纳米压印光刻(NIL)
四、技术参数
1.掩模版-基板-晶圆尺寸
掩模版尺寸:5寸/7寸/9寸
基片/晶圆尺寸:100mm/150mm/200mm
晶圆厚度:高达10mm
2.对准模式
顶部对准精度:≤ ± 0,5 µm
底部对准精度:≤ ± 2,0 µm
红外对准模式:≤ ± 2,0 µm/取决于基片的材料
3.顶部显微镜
移动范围1:100mm(X轴:32-100mm;Y轴:-50/+30mm;)
移动范围2:150mm(X轴:32-150mm;Y轴:-75/+30mm;)
移动范围1:200mm(X轴:32-200mm;Y轴:-100/+30mm;)
可选:平坦的物镜可以增加光程;带有环形灯的暗场物镜,可以增加对比度
4.底部显微镜
移动范围1:100mm(X轴:30-100mm;Y轴:±12mm;)
移动范围2:150mm(X轴:30-100mm;Y轴:±12mm;)
移动范围1:200mm(X轴:30-100mm;Y轴:±12mm;)
可选:平坦的物镜可以增加光程;带有环形灯的暗场物镜,可以增加对比度
5.曝光器件
(1)波长范围:
NUV:350 - 450 nm
DUV:低至200 nm (可选)
(2)光源:
汞灯350W , 500W UV LED灯
(3)均匀性:
150mm:≤ 3%
200mm:≤ 4%
(4)滤光片:
汞灯:机械式
UV LED:软件可调
6.曝光模式
接触:硬、软接触,真空
曝光间隙:1 - 1000 µm
线宽精度:1µm
模式:CP(Hg/LED)、CD(Hg/LED)、 CT(Hg/LED) 、CI(LED)
可选:内部,浸入,扇形
7.可选功能
键合对准精度:≤ ± 2,0 µm
纳米压抑光刻(NIL)精度:≤ ± 2,0 µm
纳米压抑光刻(NIL)软印章分辨率:≤ 50 nm图形分辨率
8.设施
真空:< 150 mbar
压缩气体:6 bar
氮气:可选2或者6 bar
排气要求:汞灯需要;LED不需要
9.系统方式
系统:windows
文件分享和软件备份
无限程序储存,参数储存在程序内
支持多语言,含中文
实时远程支持,诊断和排除故障
10.楔形补偿
全自动- 软件控制
11.规格
占地面积:0.55m²
高度:1.01m
重量:约250kg
纳米压印分辨率:≤ 40 nm(取决于模板和工艺)
支持工艺:Soft UV-NIL