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上海伯东进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 100
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上海伯东是德国 Pfeiffer 真空设备, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Gel-pak 芯片包装盒, 日本 NS 离子蚀刻机, 比利时 Europlasma 等离子表面处理机 和美国 Ambrell 感应加热设备等进口品牌代理商 .我们真诚期待与您的合作!
详细信息
KRI 考夫曼离子源 KDC 100
上海伯东代理美国进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 100 中型规格栅极离子源, 广泛加装在薄膜沉积大批量生产设备中, 考夫曼离子源 KDC 100 采用双阴极灯丝和自对准栅极, 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 400 mA.
KRI 考夫曼离子源 KDC 100 技术参数：
型号 | KDC 100 |
供电 | DC magnetic confinement |
- 阴极灯丝 | 2 |
- 阳极电压 | 0-100V DC |
电子束 | OptiBeam™ |
- 栅极 | 专用, 自对准 |
-栅极直径 | 12 cm |
中和器 | 灯丝 |
电源控制 | KSC 1212 |
配置 | - |
- 阴极中和器 | Filament, Sidewinder Filament 或LFN 2000 |
- 安装 | 移动或快速法兰 |
- 高度 | 9.25' |
- 直径 | 7.6' |
- 离子束 | 聚焦 |
-加工材料 | 金属 |
-工艺气体 | 惰性 |
-安装距离 | 8-36” |
- 自动控制 | 控制4种气体 |
* 可选: 可调角度的支架
KRI 考夫曼离子源 KDC 100 应用领域：
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
若您需要进一步的了解考夫曼离子源, 请参考以下联络方式
上海伯东: 罗先生
