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1064nm 四象限Si光电探测器(N型硅象限 光敏面直径 10mm,直流响应度 0.3A/W)
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公司简介
筱晓(上海)光子技术有限公司成立于2014年，是一家被上海市评为高新技术企业和拥有“上海市专精特新企业称号”的专业光学服务公司，业务涵盖设备代理以及项目合作研发，公司位于大虹桥商务板块，拥有接近2000m²的办公区域，建有500平先进的AOL(Advanced Optical Labs)光学实验室，为国内外客户提供专业技术支持服务。公司主要经营光学元件、激光光学测试设备、以及光学系统集成业务。十年来，依托专业、强大的技术支持，以及良好的商务支持团队，筱晓的业务范围逐年增长。目前业务覆盖国内外各著名高校、顶级科研机构及相关领域等诸多企事业单位。筱晓拥有一支核心的管理团队以及专业的研发实验室，奠定了我们在设备的拓展应用及自主研发领域坚实的基础。
公司自成立以来，始终遵循诚信发展、探索创新、务实致远、以质取胜的服务理念，并在产品开发和销售中贯彻到底。公司自始至终秉承着国际标准的质量安全保障。多年来，公司一直致力于光学设备的设计开发，以及知识产权的保护。我们将不断完善管理机制和技术水平，为客户提供更安全环保的产品以及更优质的服务。
应用领域
医学医用相关产品分类：Wasach OCT光栅、 SLD 二极管、高速扫频激光器、SOA 放大器、光纤延迟线，OCT光谱分析仪 ......
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光纤通讯与传感相关产品分类： 波分复用器、光纤放大器、高速光电探测器、锁频半导体可调谐激光器、强度/相位调制器、特种光纤、超窄线宽稳频激光器模块、光通讯DFB激光器......
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微波光子相关产品分类：20G信号发生器、高速电光调制器、高速光电探测器、高频相位/强度电光调制器、高速示波器 、任意波形发生器...... |
气体分析相关产品分类：单模声光调制器 、超高反射率反射镜、光电探测器模块 、小型化气室、中红外气体吸收池、激光气体分析综合控制器、DFB激光二极管、中红外超连续谱光源、高精度波长计......
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量子计算相关产品分类： 外腔半导体激光器、空间光隔离器 、电光调制器、高精度波长计 、高精度光谱分析仪......
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激光雷达相关产品分类：窄线宽稳频激光器模块、FMCW DFB激光器、ns级超快光开关，光电平衡探测器......
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半导体分析相关产品分类：激光光束分析仪、激光芯片LIV测试系统、近红外相机、六轴位移台、光束匀化...... |
机械视觉相关产品分类：经济型荧光近红外数字相机、低成本近红外InGaAs铟镓砷相机，中红外高性能非制冷相机、UV CMOS/CCD紫外波段相机、 SWIR镜头(C-mount）...... |
先进光学实验室
半导体综合分析实验室：半导体激光器光谱分析，功率测试，光束质量测试，线宽测试，各种光无源器件的测试，光纤放大器等等近红外产品的测试。目前我们在半导体测试，TDLAS激光法气体分析检测，CRDS腔衰荡系统,DTS高温传感以及DVS等项目研究开发领域有着深厚的积累，能够为客户提供更加精准的器件方案支持。
未来前沿光学综合实验室：负责公司未来前沿科学的相关应用支持。其中包括：自适应光学，量子计算，微波光子，太赫兹，微纳光学等技术学习与推广应用，
自适应光学：波前分析仪，可变形镜，近红外CCD相机；
微波光子：是德科技20G矢量网络分析仪，25G信号发生器，20G高速调制器，22G光电接收器，光谱仪AQ6375B、771B-MIR波长计等测量设备;
太赫兹：300G太赫兹发生器，太赫兹功率计，太赫兹时域光谱仪分析仪；
微纳光学：微纳光纤制作平台，光学显微镜，2-4.5um超连续谱光源；
量子计算：（在建中）
高新技术企业证书
详细信息
1064nm 四象限Si光电探测器(N型硅象限 光敏面直径 10mm,直流响应度 0.3A/W)
器件是N型硅象限探测器，当光辐射到器件各个象限的辐射通量相等时，则各个象限输出的光电流相等。而当目标发生偏移时，由于象限间辐射通量的变化，引起各个象限的输出光电流的变化，由此可测出物体的方位，从而起到跟踪、制导的作用。
特性参数 | 符号 | 测试条件 （除另有规定外，TA=22℃±3℃） | 参数值 | 单 位 | ||
最小值 | 最大值 | |||||
响应度(交流)(象限) | Spi | λ=1.064μm VR=135 V | 脉宽20 ns、Pin=2 mW | 0.25 | — | A/W |
响应度(直流)(象限) | Rei | 直流、Pin=1μw | 0.30 | — | ||
响应度变化量(直流) (象限)a 响应度变化量(交流) (象限)a | ΔRei | TA=-45 ℃±2 ℃ | — | 50 | % | |
暗电流(象限) | IDi | VR=135V Pin=0μw | TA=22℃±3℃ | — | 1 | μA |
TA=70℃±3℃ | — | 10 | ||||
暗电流(环) | ID | TA=22℃±3℃ | — | 10 | ||
TA=70℃±3℃ | — | 100 | ||||
结电容（象限） | Cji | VR=135V，f=1MHz | — | 15 | pF | |
光敏面直径 | φ | 10 | 16 | mm | ||
等效噪声功率 | NEPi | λ=1.064 μm，VR=135 V ,脉宽20 ns | — | 5×10-12 | W/HZ1/2 | |
击穿电压（象限、环） | VBR | IR=10μA | 200 | — | V | |
象元间灵敏度非均匀性 | Rf | λ=1.064 μm，VR=135 V ，脉宽20 ns；Pin=2mW | — | 5 | % | |
象元内灵敏度非均匀性 | Rfn | λ=1.064 μm，VR=135 V ，脉宽20 ns；Pin=2mW | — | 5 | % | |
象元间窜扰因子 | SLi | λ=1.064 μm，VR=135 V ，脉宽20 ns；Pin=2mW | — | 5 | % | |
1064nm 四象限Si光电探测器(N型硅象限 光敏面直径 16mm,直流响应度 0.3A/W)
