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PVIA-10.6 III-V族长波红外探测器
- 型号
- PVIA-10.6
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北京北埃特光电子有限责任公司成立于2001年，是从事光电子高技术产品的研究开发、技术引进和生产销售的高科技公司。公司位于北京市海淀区中关村，公司以光电子技术产品的研究开发和生产销售为基础，追踪世界前沿技术，并与美国、波兰、德国、荷兰等国的高技术公司在CCD成像、红外及夜视、激光、光谱学、光电探测器件、光电信息及图像处理、空间光学等方面有广泛的技术合作。公司实力雄厚，凝聚了一批有创新精神、有事业心的高素质和高技术人才队伍，能提供先进的高科技产品和良好的技术服务支持。愿北埃特光电子有限责任公司与您携手共创美好的未来！
北京北埃特光电子技术有限责任公司
BIT Photoelectronic Co.,Ltd.
北京海淀区中关村南大街9号理工科技大厦7015室
RM7015 Science & Technology Tower No.9 Zhongguancun South Street, Beijing 100081
专注非制冷/半导体制冷/液氮制冷/斯特林制冷红外探测器、黑体辐射源20年！
详细信息
III-V族长波红外探测器光敏材料为InAsSb，带有超半球浸没透镜；波长响应为1.8-12微米、有宽的波长响应域，覆盖从短波到长波红外；无需制冷工作在室温环境；工作方式为光伏探测，前置放大电路简单。相对于碲镉汞材料的PCI光导长波探测器，具有很好的低频噪声特性，可以用于直流或低频红外信号探测。
III-V族长波红外探测器的主要技术指标：
工作环境温度：20 摄氏度（室温）；
波长响应范围：1.8-12微米
峰值响应波长：7.1微米；
峰值电流响应率Ri：> 0.14 A/W（典型）;
峰值探测率D*：>7.7x109（典型）;
1.8微米处响应率：>10%峰值响应率；
12微米处响应率：>10%峰值响应率；
响应时间：<1.65 纳秒（典型）
封装：TO-39；
入射角：>36 度
