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MB15E04PFV1-G-BND-ER FUJITSU富士通芯片存储器原尺寸封装
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详细信息
FUJITSU富士通芯片存储器原尺寸封装MB15E04PFV1-G-BND-ER 我们的优势：存储器是现代信息系统最关键的组件之一，已经形成主要由DRAM与NAND Flash构成的超千亿美元的市场。随着万物智联时代的到来，
人工智能、智能汽车等新兴应用场景对存储提出了更高的性能要求，促使新型存储器迅速发展，影响未来存储器市场格局。目前，
新型存储器主要有4种：相变存储器（PCM），铁电存储器（FeRAM），磁性存储器（MRAM）和阻变存储器（ReRAM）。
其中，FeRAM是一种理想的存储器，在计算机、航天航空、军工等领域具有广阔的应用前景，世界上许多大的半导体公司对此都十分重视。
代理品牌富士通半导体正在批量生产具有快速数据传输功能的 4Mbit FeRAM MB85RQ4ML。这种非易失性存储器可以在最大 108MHz 的工
作频率下实现每秒 54MByte 的数据传输率，并具有四个 I/O 引脚的 Quad SPI 接口(图1)。本产品具有高速运算和非易失性的特点，
非常适合用于需要快速数据重写的可编程逻辑控制器(PLC)和路由器等工业计算和网络设备。
20 多年来，富士通半导体已量产的 FeRAM 产品，与 EEPROM 和闪存相比，具有更高的读写耐久性、更快的写入速度和更低的功耗。到目前为止，这些高可靠性产品已成功应用于工业、基础设施、消费和汽车领域。
FUJITSU富士通芯片存储器原尺寸封装MB15E04PFV1-G-BND-ER 提供各产品信息服务:此外，一些客户一直在要求 FeRAM 可以在非易失性存储器的同时进行快速数据传输。我们很高兴能够通过 Quad SPI 4Mbit FeRAM 产品满足这一要求。
MB85RQ4ML采用Quad SPI接口和1.8V电源电压，在108MHz工作频率下数据传输速率为54MB/s。在此产品发布之前，
具有 16 个 I/O 引脚的并行接口的 4Mbit FeRAM 是最快的 FeRAM，具有 13MB/s 的数据传输速度。然而，MB85RQ4ML
只有四个 I/O 管脚，读写数据大约是并行接口 FeRAM 的 4 倍(图3)。 其封装为 16pin SOP，封装尺寸为 7.5mm x 10.3mm。
数据传输率比较
如果您在产品中使用闪存、EEPROM 或低功耗 SRAM，并且遇到以下任何问题，请考虑使用富士通半导体的 FeRAM 解决方案。
状态：使用闪存 问题：由于写入耐久性较低，软件开发负担较大
闪存保证几十万次的写周期。如果数据被多次写入内存中的同一区域，该区域很快就会达到保证写入周期时间的上限。
因此，设计工程师必须开发一种名为“wear leveling”的软件来分配内存区域中的写入位置，以使数据不会多次写入同一位置。
软件开发的工作量对设计工程师来说是一个非常大的负担。而 FeRAM 保证 10 万亿次读/写周期，并且数据可以像低功耗 SRAM 一样被覆盖到内存区域。
这些功能有助于设计工程师，因为工程师不需要开发复杂的数据写入软件，例如磨损均衡
磨损均衡示意图
状态：使用 EEPROM 问题：数据写入时间较长
EEPROM 即使是 8 位数据写入也有 5ms 的写入周期时间，因为它除了写入操作之外还包括擦除操作。另一方面，FeRAM 具有较短的写入时间，例如在 8 位数据写入时为数百纳秒，因为它不需要擦除操作（图5）。此外，带有 SPI 接口的 EEPROM 在最高 20MHz 的工作频率下具有 2.5Mbyte/s 的数据传输率。而富士通半导体的 Quad SPI FeRAM 有 54Mbyte/s，是 EEPROM 的 20 倍以上。
写入时间比较
状态：使用 SRAM 问题：难以取出电池并减少组件安装面积
低功耗 SRAM 需要电池来保存数据以保存写入的数据，但由于非易失性存储器，FeRAM 不需要电池。然后，由于 SRAM 有 16 个 I/O 引脚，许多 SRAM 采用 44pin TSOP 封装形式，但 MB85RQ4ML 采用 16pin SOP 封装，具有 4 个 I/O 引脚。这意味着，如果您将 SRAM 替换为 FeRAM，您可以通过移除电池并使用更小的封装来减少 77% 的内存安装面积
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