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HET-3RT 霍尔效应测试系统

型号
HET-3RT
参数
产地类别:国产
武汉嘉仪通科技有限公司

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生产厂家

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快速退火炉,半导体退火设备,液氮低温恒温器,快速退火炉RTP

武汉嘉仪通科技有限公司成立于2009年是以薄膜物性测量仪器作为战略定位,技术自主创新的国家新技术企业。公司集快速退火炉,霍尔效应测试,RTP,RTA,RTO,热电参数测试,Seebeck系数测试,电导率测试,热导率测试,相变温度分析,液氮低温恒温器等物性检测仪器和半导体工艺设备的研发、市场和技术服务于一体,且相继被评为湖北省“百人计划”及武汉市政府“城市合伙人”企业。

  武汉嘉仪通科技有限公司始终坚持自主研发与应用创新,拥有自己的技术工程师研发团队,建有省级工程实验室、新型研发机构以及市级企业技术中心平台,拥有知识产权100多项,主持承担参与了10余项国家科技攻关项目。2020 年,公司研发的“薄膜材料热特性测试技术及仪器”技术与产品荣获了“湖北省技术发明一等奖”。核心序列产品广泛应用于大专院校、科研院所、第三方检测机构和工业企业等细分领域,并服务于国内近500家客户。除此之外,核心产品还远销美国、英国、日本、澳大利亚、以色列、香港、澳门、中国台湾等20多个国家和地区,实实在在为新材料的科研和生产创造了价值。未来,公司依托省级科研共享平台的大数据分析,为世界各国用户的薄膜技术研究及战略方向提供理论依据与数据支撑。 

  武汉嘉仪通科技有限公司秉承技术创新、应用为上的行动准则,遵循“专注、创新、成长、勤勉”的核心价值理念,认真做好每一款产品,为客户提供合适的产品与优质的服务。最终实现公司愿景:和员工一起成长为薄膜(热)测量领域的先锋者!

 

详细信息

霍尔效应测试系统(霍尔效应测试仪)HET-3RT依据范德堡法则测量材料的电运输性能参数,如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等,薄膜或薄层材料均可测量,可应用于所有半导体材料,包括Si、ZnO、SiGe、SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量),广泛应用于国内高校、研究所、半导体、金属、高热导有机新材料等行业。

 

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产品特点

● 自主知识产权产品。

● 采用高精密度恒流源和电压表,确保仪器测试的良好准确度和高稳定性,性能优越。

● 自动控制磁场方向的改变,更加方便准确。

● 样品装夹方式快速方便,且使用能够解决欧姆接触的样品芯片。

● 产品工业外观采用一体化、精密化设计,融入人性化的设计理念,不仅赏心悦目而且操作方便。

● 智能化的用户界面操作简单,功能齐全的软件平台带给客户友好的操作体验,使测试过程更加方便快捷。

 

产品技术参数

设备型号

HET-3RT

温度范围

RT

磁感应强度

0.68T

恒流源范围

1nA~100mA

电压表范围

1nV~30V

迁移率范围

1~107cm2/(V·s)

霍尔系数范围

10-3~109cm3/C

载流子浓度范围

107 ~1021/cm-3

电阻率范围

10-6~107Ω·cm

样品尺寸

边长或直径:10mm~20mm

厚度:10nm-1mm

主机尺寸

570x545x380(mm)

重量

50kg

 

霍尔效应测试系统 产品应用

● 判断半导体材料类型

● 太阳能电池片的制程辅助

● 晶圆电性能的判断

● 热电材料研究


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产品参数

产地类别 国产
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