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赛默飞Talos™ F200X扫描/透射电子显微镜

型号
参数
产地类别:进口 应用领域:环保,化工
北京瑞科中仪科技有限公司

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半导体材料分析,材料刻蚀

北京瑞科中仪科技有限公司专注半导体材料研究分析设备的研发和应用。专业的团队,专精的服务,提供理想的解决方案。

我们长期专注于半导体材料研究与分析设备的经销和代理,为高校、企业科研工作者提供专业的分析解决方案。以专业技能为导向,用科技来解决用户在科研中遇到的难题。专业的技术工程师和科研工作者进行现场演示和技术交流,打消顾虑,彼此协作,为我国的科研领域谱写新篇章。

北京瑞科中仪科技有限公司长期代理销售供应多种分子材料的研究分析设备,其中包括但不限于扫描电子显微镜、感应耦合等离子体化学气相沉积系统、离子束刻蚀机、等离子清洗机、物理气相沉积系统以及各品牌的光学显微镜以及实验室设备仪器。

客户至上的服务理念,以人为本的企业文化,我们始终为用户提供专业的服务!

合作丨共赢,选择我们,选择未来!

 

详细信息

默飞世尔科技的 Talos™   F200X 扫描/透射电子显微 镜(S/TEM)提供最快速,纳米材料多维定 量表征。由于配备了多种创新功能以提高效率、精度 和使用便易度,Talos™  F200X 是学术、政府和工业 等 领域进行高级研究与分析的理想选择。

高分辨图像数据质量更好

赛默飞世尔科技的 Talos™   F200X S/TEM 融合了高分辨 率 STEM 和 TEM 成像,行业 X 射线能量色散谱(EDS) 信号检测,以及通过成分面扫实现三维化学表征等功能。利用 智能扫描引擎、基于多个STEM    探测器的四通道合并技术,以 及微分相位衬度(DPC)成像技术,赛默飞世尔科技  Velox™    S/ TEM  控制软件显著地改善  S/TEM  成像质量,可以更好地分析 电磁结构,并实行快速、准确的 EDS 数据处理及定量分析。

赛默飞世尔科技的高亮度 X 场发射电子枪可以在提供高达标准 肖特基场发射电子枪五倍束流的同时保持较小的会聚角。用户 可以获得高信噪比及STEM、EDS   图像分辨率和更多高 分辨  TEM应用。此外,X  场发射电子枪所具有的高稳定性及使 用寿命长等特点使其具有更高的成像效率。

显示范围更广、获取图像速度更快Talos™  快速 D/TEM 成像支持 高分辨率以及原位动态成像。赛默飞世尔科技的 Ceta 16M™  相 机的视场范围更大,图像采集速率可高达每秒 25 帧。同时压电 样品台可以确保高灵敏度,无漂移成像及精确样品导航。因此    Talos™  在节约用户时间的同时可以采集更多样品数据。


赛默飞Talos™  F200X扫描/透射电子显微镜加快纳米尺度范围内分析解决问题的速度

Talos™  F200X 采用赛默飞世尔科技保护的Super-X™  集

成 EDS 系统,它配备了4 个硅漂移 X 射线探测器 (SDD),具有  灵敏度,每秒可收集高达 105 幅能谱。通过 Super-X™  与   A-TWIN 物镜集成,Talos™  F200X 最大限度地提高了 X 射线收 集效率,同时达到给定束流下(即使对低强度 EDS 信号)的理  想输出计数率。

主要优势

提供更优质的图像:  同时进行多重信号探测的高效率 STEM 成像技术为高质量的图像提供了更好的图像对比度

快速获取化学成分数据:快速,精确定量 的 EDS 分析技术以 揭 示纳米级成分细节

更多应用空间:利用专用的各种原位样品杆进行原位动态实验

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让研究更轻松

Talos™   采用用户友好的数字界面和人体工学设计,允许多名科学家访问图像和分析工作流程。快速图像采集与简单易用的操作平台相结合,即使是经验不丰富的操作员也可以快速收集结果。使用全程遥控操作,可以提高使用的便利度并增强环境稳定性。为了保持生产率,Talos™   还配备了新的状况监视器,  以便收集重要的仪器参数,便于远程诊断和支持。


赛默飞Talos™  F200X扫描/透射电子显微镜特征

• 领域光学性能:恒定功率 A-TWIN 物镜

• 易用性:快速、简单的操作切换,可用于多用户环境

• 超稳定平台:恒定功率物镜、压电样品台、可靠的系统外壳和 遥控操作确保最高的稳定性

• SmartCam 相机:数字搜索和查看相机可以提高所有应用 的处理能力,并可以在日光下操作。

• 集成的快速探测器:Ceta 16M 像素 CMOS 相机可提 供较大的视场和很高的读取速度 (25 fps @ 512×512)

• 全程遥控操作:自动光阑系统与 Ceta 相机相结合,支持 全程遥控操作

• 提高分析能力:Talos™  利用 EDS 三维成像技术将化学成分分 析能力从二维扩展到三维 。


安装要求

详细数据,请参考预装指南。


Talos F200X

X-FEG 亮度

1.8 ×109 A/cm2 srad (@200kV)

总束电流

> 50nA

探针电流

1.5 nA @ 1 nm probe (200 kV)

Super-X EDS 系统

4 SDD 对称,无窗设计,遮板保护

能量分辨率

≤136 eV for Mn-K“ and 10 kcps (输出)

EDS 快速面扫

像素驻留时间 低至 10 μs


A-Twin

STEM HAADF 分辨率

0.16 nm

EDX 立体角

0.9 srad

TEM 信息分辨率

0.12 nm

最大衍射角

24˚

双倾杆最大倾转角

±35° alpha tilt / ±30° beta tilt

最大测角器(样品台)倾转角

±90˚



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