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ZG 9bit 可调光延时线芯片 SOI 硅光子
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生产厂家四川梓冠光电科技有限公司成立于2015年8月,位于中国科技城——绵阳。主要致力于光通信设备和光通讯芯片的研发、设计、生产及销售;是一家拥有自主研发能力及规模性量产能力的光通信高新技术企业。
梓冠光电自成立以来,持续投入研发,吸纳通信行业技术人才,其中博士占比人数5.7%,本科占比人数22.8%。公司产品日渐邹于多元化,不仅拥有行业水平的光开关、光衰减器、光纤延迟线、偏振控制、MEMS器件、高速光探测器、硅基高速器件、脉冲光纤激光器、飞秒光纤激光器、半导体激光器及光路保护设备(OXC)等产品,公司还为激光雷达系统、量子通讯系统、激光聚变成像传输系统等提供核心的高精端光器件,其中光纤延迟器、光开关、光衰减器系列为核心技术的量产产品,产品技术获得多项认证,其中发明6项,外观,软著,实用性等共16项。
公司拥有超150多家客户,已与华为、中航、中电、中物院、高校及航天等企业、单位达成长期稳定的战略合作;公司先后获得“科技型中小企业” ,“国家高新技术企业” ,“绵阳市文明青年号”,“2016年度诚信创业青年,“军民融合企业”,“2019年度知识产权工作优秀单位”等荣誉称号。
四川梓冠光电科技有限公司坚持科技创新为原则,一直将创新贯穿于企业的核心价值当中,公司强调和谐的企业创新氛围,为每一位员工提供一个广阔的发展平台;在企业内部管理上十分重视团队精神,以团队的共同创造能力推进企业的各项发展,更加系统化、专业化,给客户持续提供优质和全面的服务,使梓冠光通信的产品处在行业
硅基单片集成 9bit 可调光延时线芯片
〖简介Introduction〗
单片集成多比特光时延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技术,是目前综合性能和集成度最高的光时延器产品。采用二进制多级时延回路结构,芯片集成时延切换开关和包含了均衡和杂波抑制衰减器的延迟光波导回路,延时切换时间达到 200ns 以下,最大总时延量 1022ps;延时精度 0.5ps,片内单级延时损耗低至 0.8dB/bit。相比于传统采用微波传输线的电时延芯片,光时延器可以适用任意的微波和毫米波频段,具有极低的串扰非目标时延信号消光比。最大时延 1ns 的 9bit 可调光延时芯片尺寸小至 2cm×1.5cm,大幅度减小系统体积;由于光载波频率相对于微波信号大至 4 个数量级的频率比,光子集成的时延器芯片具有覆盖从米波到毫米波全频段的信号处理能力,适合各类超宽带相控阵的波束合成应用。
〖特性Features〗
n 高速切换(100~200ns)
n 高延时精度(0.5ps 典型值,0.2ps 可达)
n 超小尺寸
n 超宽带工作
n 全固态波导芯片可靠性强
n 大时延范围(~2ns 可达)
n 高功率耐受度( 23dBm 典型值)
应用Applications〗
n 光控相控阵系统、超宽带光域信号处理
性能指标/Parameter | 单位/Unit | 典型值/Typ. | 备注/Notes |
工作波长/Operationwavelength | nm | 1530-1570 | |
延时位数/Delay bits | / | 9 | 可定制/Can be customized |
最小延时步进/Min.step-delay | ps | 2 | 可定制/Can be customized |
可调节最大延时量/Adjustable max.delay | ps | 1022 | |
延时精度 | ps | ±0.5 | ≤16ps 延时量 |
±1 | 18~64ps 延时量 | ||
±2 | 66~512ps 延时量 | ||
±3 | 514~1022ps 延时量 | ||
延时切换时间/Delay switching time | ns | 200 | |
插入损耗/Insertion loss | dB | 11 | 13dB max |
各延时态损耗差异/Delay state loss difference | dB | ±1 | |
耐受光功率 | dBm | 23 | 26dBm max |
回波损耗/Return loss | dB | 45 | |
芯片尺寸/Chip dimension | mm | 20×15×0.7 |
9bit 可调光延时线芯片 SOI 硅光子
9bit 可调光延时线芯片 SOI 硅光子