在电子通信行业蓬勃发展的大背景下，集成电路产业迎来了以光刻技术为核心技术的爆炸式需求。利用紫外光源对紫外敏感的光刻胶进行空间选择性的曝光，进而将设计好电路版图转移到硅片上形成集成电路，这一工艺就是紫外光刻技术。实现光刻工艺的设备一般称之为光刻机，或为曝光机。光刻机的分辨率和套刻精度直接决定了所制造的集成电路的集成度，也成为了评价光刻设备品质的关键指标。

光刻机作为生产大规模集成电路的核心设备，有接触式光刻机、接近式光刻机、投影式光刻机等类型。而这些类型的常规光刻机需要定制价格高昂的光学掩膜版，同时，任何设计上的变动都需要掩膜版重新制造也使得它有着灵活性差的劣势。激光直写设备具备很高的灵活性，且可以达到较高的精度，但逐行扫描的模式使得曝光效率较低。出于同时追求高精度、高效率、强灵活性、低损耗，在投影式光刻机基础上，无掩膜光刻机应运而生。近些年，基于空间光调制器（DMD/DLP）的技术在紫外曝光方面获得了长足的进展。

TTT-07-UV Litho-S+激光主动对焦无掩膜光刻机的特征尺寸为0.6 µm，速度可达300mm²/min高性能运动电机保证了300nm的套刻精度以及高达8英寸的光刻画幅，而基于空间光调制器的光刻技术，使得其在光学掩膜版设计上有着得天独厚的优势。高效、灵活、高分辨率和高套刻精度等众多优点，必将使其成为掩膜版制备、半导体后道封装等诸多领域的优质选择。

【TTT-07-UV Litho-S+激光主动对焦无掩膜光刻机产品亮点】

扫描式光刻

更高的效率

激光主动对焦

8 英寸大面积光刻

特征尺寸0.5 μm

【TTT-07-UV Litho-S+应用示例】

微流道芯片

微纳结构曝光

电输运测试/光电测试器件

二维材料的电极搭建

太赫兹/毫米波器件制备

光学掩膜版的制作

【系统升级选项】

主动隔振平台

三维重构观测

机械手臂

【安装需求】

温度：20-40℃

湿度：RH<60%

电源：220V，50Hz