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mes 磁电耦合测量系统
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多场低温科技（北京）有限公司于2017年正式运营，在2021年团队整体迁入怀柔科学城产业园；并且公司在2020年获得高新技术企业资质，2023年获得北京市专精特新企业认证。
公司致力于全环境压电超精密运动控制技术以及产品的开发与推广。得益于公司在全环境领域（包括强磁场、超高真空和极低温环境）长期的探索与积累，多场科技已形成了全环境纳米运动控制产品集群，成为国际上为数不多的，可以提供全环境下的纳米级运动控制解决方案的团队。
在此基础上，多场科技积极推动技术延伸，迅速发展出高水平的全环境超精密压电运动控制以及综合物性表征手段，形成了模块化的全品类超精密运动控制以及涵盖力热声光电全方面的物性表征系列产品，并推出了融合多场技术的综合物性表征平台等整体化解决方案。公司产品已服务于国内外百余所高校及研究机构，并受到一致认可。
公司坚持自主创新、稳扎稳打、广泛开展合作、积极拓展业务范围，面向半导体、精密光学、精密仪器、工业自动化等领域，着力打造超精密运动领域一体化集成式解决方案，帮助客户更高效的推动技术发展，在国内工业升级、芯片自主化、航天国产化等大趋势下，为相关行业和领域突破“卡脖子”问题提供了强力的技术支撑。
详细信息
磁电耦合测量系统
·磁电耦合系数
磁电耦合系数（Mangnetoelectric Voltage Coefficient, αE=dP/dH ）是表征多铁材料磁电耦合效应强弱最直接方式，也是最容易通过实验测得的参数。磁电耦合系数分别正磁电耦合系数和逆磁电耦合系数，一般情况下二者大小相同。现在最为通用的测量正磁电耦合系数的原理通过对样品施加交变磁场，具有磁电耦合效应的多铁材料就会感生出相同频率的交变电压，再通过锁相技术得到磁电耦合电压的值，如图1所示。此时，磁电耦合系数的单位为V/(cm·Oe)。
图1 磁电耦合电压测试原理图
·技术指标
本产品提供包括样品杆、螺线管、样品托等，可在OxfordPT®、Quantum Design PPMS®、Cryogenics® 、Janis®等各种低温强磁场平台使用。在1.8 K~400 K和0 T~13 T范围内具有很高的信噪比。此外，可以有多种测量方式，交变磁场和外加直流磁场可以施加在样品的面内和面外方向，并且可以选购具有转角功能的样品杆，可以实现磁场面内和面外360°的转角，为磁电耦合系数测量提供更多角度。
磁电耦合测量系统
·实例
复合磁电耦合材料因为具有在室温下大的磁电耦合系数而被广泛的研究，其中Ni/PMN-PT/Ni trilayer因为其简单的结构和材料成为研究的热点，图2是应用本产品测试的Ni/PMN-PT/Ni的磁电耦合系数随外加直流磁场的变化，可以看出数据在μV量级仍然有很好的信噪比。
图2 Ni/PMN-PT/Ni磁电耦合系数随磁场的变化
