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PHI Genesis 900 PHI 硬X射线光电子能谱仪

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PHI Genesis 900
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参数
价格区间:面议 仪器种类:进口 应用领域:能源,电子
束蕴仪器(上海)有限公司

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PHI X射线光电子能谱仪

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MicroCT,显微CT,微焦点CT,骨骼成像,显微CT材料学检测,微纳显微CT,X射线断层扫描,TOC,元素检测

束蕴仪器(上海)有限公司自成立以来,凭借与德国布鲁克(BRUKER)、衍射数据中心(ICDD)、德国Freiberg等实验室分析仪器品牌的战略合作,迅速成为业界仪器供应商。

我们拥有一支积极乐观,正直诚信的年轻团队,我们热忱的信仰科学,相信科学技术能为我们的客户带来高品质的生活,为社会的进步起到积极的促进作用。

束蕴仪器为各类客户提供优质的实验室和工业检测仪器及过程控制设备,专业的应用支持及完善的售后服务,在中国大陆的诸多领域拥有大量用户,如高校、科研院所、航空航天,政府组织、检验机构、及工业企业。产品覆盖了医药、生物、材料、考古、电子、食品等各个行业。

公司的宗旨:为客户量身打造合适的综合解决方案、技术支持和现场服务,优质的客户培训,快速及时的售后服务。

 

束蕴仪器,让世界更清晰!

主营仪器设备:

--高分辨X射线显微CT、多量程X射线纳米CT、X射线衍射仪、X射线荧光光谱仪、电子顺磁共振波谱仪          (ESR/EPR)、台式核磁共振波谱仪 TD-NMR、光学轮廓仪等 -- 德国布鲁克Bruker 授权代理商

--PDF衍射数据库、JADE软件--衍射数据中心(ICDD)授权代理商

--晶圆片寿命检测仪、在线晶圆片/晶锭点扫或面扫检测、晶圆片在线面扫检测仪、台式PID潜在诱导退化测试仪、释光测定仪等--德国Freiberg Instruments授权代理商

--BPCL化学发光仪--微光科技华东区总代理

 


 单位名称:束蕴仪器(上海)有限公司

详细地址:上海市松江区千帆路288弄G60科创云廊3号楼602室

 

 

 

 

 

详细信息

PHIGENESIS Model 900 for HAXPES

无需溅射刻蚀的深度探索

下一代透明发光材料使用直径约为10nm~50nm 的纳米量子点(QDs),结合使用 XPS(Al Ka X射线)和 HAXPES(Cr Ka x射线)对同一微观特征区域进行分析,可以对 QDs 进行详细的深度结构分析。

XPS 和HAXPES 的结合使用,可以对纳米颗粒进行深度分辨、定量和化学态分析,从而避免离子束溅射引起的损伤。

PHI 硬X射线光电子能谱仪

PHI 硬X射线光电子能谱仪深层界面的分析 

在两种x射线源中,只有 Cr Ka XPs 能探测到 Y0,下方距离表面 14nm 处的 Cr层。拟合后的谱图确定了 Cr 的化学态。另外,通过比较,光电子起飞角90°和30°的 Cr Ka 谱图结果发现在较浅(表面灵敏度更高)的起飞角时,氧化物的强度较高,表明 Cr 氧化物处于 Y,0,和 Cr 层之间的界面。‍

PHI 硬X射线光电子能谱仪

PHI 硬X射线光电子能谱仪内核电子的探测

Cr Ka 提供了额外的 Al Ka 不能获取的内核电子基于 Cr Ka 的高能光电子,通常有多个额外的跃迁可用于分析。

PHI 硬X射线光电子能谱仪

应用领域 

主要应用于电池、半导体、光伏、新能源、有机器件、纳米颗粒、催化剂、金属材料、聚合物、陶瓷等固体材料及器件领域。

用于全固态电池、半导体、光伏、催化剂等领域的先进功能材料都是复杂的多组分材料,其研发依赖于化学结构到性能的不断优化。ULVAC-PHI,Inc.提供的全新表面分析仪器“PHI GENESIS” 全自动多功能扫描聚焦X射线光电子能谱仪,具有*性能、高自动化和灵活的扩展能力,可以满足客户的所有分析需求。


PHI GENESIS 多功能 分析平台在各种研究领域的应用

电池        AES/Transfer Vessel

“LiPON/LiCoO 2 横截面的 pA-AES Li 化学成像”

Li 基材料例如 LiPON,对电子束辐照敏感。 

PHI GENESIS 提供的高灵敏度能量分析器可以在低束流(300pA)下快速获取 AES 化学成像。

PHI 硬X射线光电子能谱仪

有机器件     UPS/LEIPS/GCIB

使用 UPS/LEIPS 和 Ar-GCIB 测量能带结构

(1)C60薄膜表面

(2)C60薄膜表面清洁后

(3)C60薄膜 /Au 界面

(4)Au 表面

通过 UPS/LEIPS 分析和 Ar-GCIB 深度剖析可以确定有机层的能级结构。

PHI 硬X射线光电子能谱仪

半导体    XPS/HAXPES

半导体器件通常由包含许多元素的复杂薄膜组成,它们的研发通常需要对界面处的化学态进行无损分析。为了从深层界面获取信息,例如栅极氧化膜下的 GaN,使用 HAXPES 是非常有必要的。

PHI 硬X射线光电子能谱仪

微电子     HAXPES 

微小焊锡点分析HAXPES 分析数据显示金属态Sn 的含量高于 XPS 分析数据,这是由于Sn 球表面被氧化,随着深度的加深,金属态Sn的含量越高,正好符合HAXPES 分析深度比 XPS 深的特点。

PHI 硬X射线光电子能谱仪


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