XBC300 Gen2 D2W/W2W

  一、创基于200mm和300mm衬底的混合键合一体设备

  新型的 XBC300 Gen2 D2W/W2W 设备是世界上将所有现有混合键合工艺集成到单一设备中的平台： W2W、集体 D2W 和顺序 D2W。XBC300 Gen2 D2W/W2W 是苏斯微技术公司与高精度倒装芯片键合机供应商 SET Corporation SA 合作开发的成果。与传统的独立式 W2W 和 D2W 平台相比，XBC300 Gen2 D2W/W2W 的占地面积显著减少。投资成本大大降低，因为在独立系统中冗余的工艺模块只使用一次。XBC300 Gen2 D2W/W2W 是一个功能强大、高度灵活的通用平台，可提高混合键合工艺的开发，适用于系统级芯片 (SoC) 和堆叠集成电路 (SIC) 等高级三维堆叠应用与我们的合作伙伴 SET 密切合作开发。

二、 XBC300 Gen2 D2W/W2W 专为研发线或 RTOs（研发和技术组织）的需求量身定制，这些研发机构或 RTOs 期望首先专注于一种工艺，但同时希望在未来开发更多的混合键合工艺。所有工艺开发都采用类似的核心技术，并配有用于 D2W 和 W2W 的专用独立系统。这样就可以方便可靠地从研发转向小批量和大批量生产。

  三、除了具有业界的 < +/- 50nm 对准精度的 W2W 键合所需工艺模块外，XBC300Gen2 D2W/W2W 还具有技术合作伙伴 SET Corporation SA 提供的集成 NEO HB 芯片键合机，可提供 +/-100nm 的对准精度。高精度和吞吐量优化的测量模块可在线验证所有工艺中 W2W 和 D2W 键合的对准精度。XBC300Gen2 D2W/W2W 以 XBC300 Gen2 为基础，可处理框架载体上的超薄微芯片。

  四、支持的粘合技术:

1.混合键合:混合键合指的是两种金属层的热压键合与熔融键合混合进行的键合方法。该工艺过程中会同时产生一种电力（金属键合）和机械力熔融键合。

2.热键合:热键合是指两个平面基板自发粘合。 该工艺包括冲洗抛光盘，使其具备高度亲水性，然后使其相互接触并在高温下回火。

等离子体预处理工艺可使基板在室温条件下键合。

  五、模块详细情况 :

1.MHU 物料输送装置:该系统可将单个基板运送到单个工艺模块。它提供不同配置的装载工位以及基于摄像头的光学预对准器，并可选配 ID 读取器。选配的摄像系统可监控和记录机器内部情况。带有自动产量优化功能的循环调度算法可确保所有工序的时间安排一致，并具备连续运行能力。

2.XBA 键合对准器:XBA 键合对准器采用我们专有的基底间对准 (ISA) 技术，可为透明或非透明基底提供一致的亚微米对准精度。内置的固定基准、全局校准和叠加验证确保了的可重复性。全局校准晶片是系统不可分割的一部分，使自动校准和叠加验证变的简单快捷。W2W 键合采用苏斯微技术公司的工艺，以高度受控和可重复的方式进行。

3.清洗模块:清洗模块具有许多关键功能，是实现清洁度要求的一部分，例如兆声清洗和湿化学功能（例如 NH4OH (<2 %)）。此外，该系统还可配备增强型可选功能，如有机物去除功能（SC1 化学清洗）、背面冲洗、氧化铜去除和 N2 辅助吹干，以进一步满足加工需求。

4.活化模块:等离子活化技术为基于等离子体的高效基底表面活化提供了的工艺灵活性和可重复性。可使用 Ar、O₂、N₂ 等各种工艺气体，并通过质量流量控制器 (MFC) 进行控制。通过门阀加载，可以符合 CMOS 标准。适当选择等离子体化学成分，还可以对聚合物残留物进行等离子体清洗。

5.低力度键合室:如果对键合力有要求，XBS300可搭备我们经业界认可的300mm低力度键合室，施加高达15kN的键合力。 如今，这种键合室广泛应用于临时键合行业中。

6.集成测量模块:

集成的原位测量功能可实现快速工艺反馈。 因此，该测量模块对于增强工艺控制和提高产量至关重要。 该模块可配置用于红外空洞检测（高分辨率真实全场图像）和/或高精度红外套刻测量，在高处理量下具备多站点功能。

通过对键合对准器补偿参数的闭环反馈实现的在线工艺控制还能持续优化套刻性能。

7.芯片键合机:SET Corporation SA 的 NEO HB 是的倒装芯片键合机，适用于各种几何形状的芯片。业界的清洁度和对准性能确保了高速的 D2W 传输操作。极低的芯片间距（低至 40µm）可在需要时在目标基板上实现高芯片密度。苏斯微技术公司和 SET 携手合作，优化系统性能，为客户提供灵活的系统解决方案，满足未来需求。