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RISETM-300 日本ULVAC爱发科半导体间自然氧化蚀刻设备
- 型号
- RISETM-300
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详细信息
日本ULVAC爱发科半导体间自然氧化蚀刻设备
日本ULVAC爱发科半导体间自然氧化蚀刻设备
间歇式自然氧化膜去除设备 RISETM-300
间歇式自然氧化膜去除设备RISE TM -300是一种间歇式预清洗设备，可以去除LSI深接触底部等难处理的自然氧化膜。兼容300mm目标晶圆。
特征
实现高吞吐量和低 CoO
良好的蚀刻均匀性（< ±5%/批次）和再现性
干法
无损坏（远程等离子体和低温工艺）
与传统湿法工艺相比，自对准接触电阻降低至 1/2
设备布局灵活
强调可维护性
50 300mm晶圆批量加工
目的
用于形成自对准触点的预处理
电容器形成过程中的预处理
外延生长过程中的预处理
规格
| 模型 | RISETM-300 | |
| 等离子源 | 微波电源 | |
| 设备配置 | EFEM + LL + PM | |
| 板尺寸 | Φ300mm | |
| 板台 | 陶瓷舟（50只/批） | |
| 排气系统 | 机械增压泵+DRP | |
| 控制系统 | FAPC+TFT触摸屏 | |
| 气体导入系统 | 3个系统 | |
| 应用 | SAC、电容器和外延生长过程中的预处理 | |
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