1 石墨烯系统兼容、常压、微正压多种主流的生长模式
2 石墨烯系统可以在1000Pa-0.1Pa之间任意气压下进行石墨烯的生长
3 使用计算机控制，可以设置多种生长参数
4 可以制备高质量，大面积石墨烯等碳材料，尺寸可达数厘米，研究动力学过程
5 沉积效率高；薄膜的成分精确可控，配比范围大；厚度范围广，由几百埃至数毫米，可以实现厚膜沉积且能大量生产

产品性：

PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。
产品组成：
PECVD系统配置：
1.1200度开启式双温区真空管式炉

2.等离子射频电源

3.多路质量流量控制系统

4.真空系统（可选配中真空或高真空）  

产品特点：

生长温度低；沉积速率快；成膜质量好，适用范围广，设备简单。